[發明專利]垂直存儲器裝置

在審

• 申請號: 202010512608.8
• 申請日: 2020-06-08
• 公開（公告）號: CN112349725A
• 公開（公告）日: 2021-02-09
• 發明（設計）人: 金俊亨;尹善昊;崔鳳賢
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/11563
• 分類號: H01L27/11563;H01L27/1157;H01L27/11578
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 張逍遙;尹淑梅

1.一種垂直存儲器裝置，所述垂直存儲器裝置包括：

基底，包括單元區、位于單元區的兩個相對側上的貫穿通孔區以及圍繞單元區和貫穿通孔區的模制件區；

柵電極結構，包括位于基底上的柵電極，柵電極堆疊為沿著與基底的上表面基本垂直的第一方向彼此間隔開，并且每個柵電極在與基底的上表面基本平行的第二方向上延伸；

溝道，在基底的單元區上沿第一方向延伸，并且延伸穿過柵電極結構的至少一部分；以及

第一模制件，包括在基底的模制件區上沿著第一方向交替地且重復地堆疊的第一層和第二層，第一層和第二層包括彼此不同的絕緣材料，并且第一模制件的每個第一層與柵電極結構的柵電極中的對應的柵電極位于相同的高度處且接觸。

2.根據權利要求1所述的垂直存儲器裝置，其中：

貫穿通孔區位于單元區的在第二方向上的兩個相對側中的每個上，并且

模制件區圍繞貫穿通孔區的在與基底的上表面基本平行且與第二方向相交的第三方向上的相對側，并且圍繞貫穿通孔區的在第二方向上的至少一側。

3.根據權利要求2所述的垂直存儲器裝置，其中，第一模制件位于模制件區的在單元區的在第三方向上的兩個相對側中的每個上的部分上。

4.根據權利要求2所述的垂直存儲器裝置，其中，第一模制件位于模制件區的在單元區的在第三方向上的兩個相對側中的一個上的部分上。

5.根據權利要求2所述的垂直存儲器裝置，其中，多個單元區沿著第二方向彼此間隔開，并且貫穿通孔區位于所述多個單元區中的每個的在第二方向上的兩個相對側中的每個上。

6.根據權利要求5所述的垂直存儲器裝置，其中，第一模制件位于模制件區的在所述多個單元區之中的第一單元區的在第三方向上的兩個相對側中的每個上的部分上，并且位于模制件區的在所述多個單元區之中的第二單元區的在第三方向上的一側上的部分上。

7.根據權利要求5所述的垂直存儲器裝置，其中，第一模制件位于模制件區的在所述多個單元區之中的第一單元區的在第三方向上的兩側中的至少一側上的部分上，并且不位于模制件區的在所述多個單元區之中的第二單元區的在第三方向上的兩側上的部分上。

8.根據權利要求2所述的垂直存儲器裝置，所述垂直存儲器裝置還包括位于基底的單元區的在第三方向上的中間部分上的第二模制件，第二模制件包括沿著第一方向交替地且重復地堆疊的第一圖案和第二圖案，并且第一圖案和第二圖案分別與第一層和第二層包括基本相同的材料。

9.根據權利要求8所述的垂直存儲器裝置，其中，第二模制件呈具有階梯臺階層的階梯形狀，一個第一圖案和一個第二圖案順序地堆疊在一起作為階梯臺階層中的一個階梯臺階層，并且第二模制件的階梯形狀面向貫穿通孔區。

10.根據權利要求2所述的垂直存儲器裝置，其中，多個柵電極結構沿著第三方向彼此間隔開，所述多個柵電極結構中的位于第三方向上的一端處的柵電極結構與第一模制件接觸。

11.根據權利要求1所述的垂直存儲器裝置，其中，柵電極結構呈具有階梯臺階層的階梯形狀，每個柵電極是階梯臺階層中的一個階梯臺階層，并且柵電極結構的階梯形狀面向貫穿通孔區。

12.根據權利要求11所述的垂直存儲器裝置，其中，第一模制件呈具有階梯臺階層的階梯形狀，一個第一層和一個第二層順序地堆疊在一起作為階梯臺階層中的一個階梯臺階層，并且第一模制件的階梯形狀面向貫穿通孔區。

13.根據權利要求12所述的垂直存儲器裝置，其中，包括在第一模制件中的每個階梯臺階層中的第一層與柵電極結構的階梯臺階層中的對應的階梯臺階層位于相同的高度層級處。