[發明專利]一種采用電壓驅動的可控硅有效

申請號：	202010512334.2	申請日：	2020-06-08
公開（公告）號：	CN111627996B	公開（公告）日：	2023-05-23
發明（設計）人：	唐紅祥	申請（專利權）人：	無錫光磊電子科技有限公司
主分類號：	H01L29/74	分類號：	H01L29/74;H01L29/06
代理公司：	無錫市匯誠永信專利代理事務所(普通合伙) 32260	代理人：	曹慧萍
地址：	214000 江蘇省無錫市***	國省代碼：	江蘇;32
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摘要：
搜索關鍵詞：	一種采用電壓驅動可控硅
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【權利要求書】：

1.一種采用電壓驅動的可控硅，其特征在于：包括N型硅片，所述N型硅片底部設有P型擴散層，所述P型擴散層底部電連接陽極電極，所述N型硅片頂部設有至少一個第一P阱，所述第一P阱內設有至少一個第一N擴散區，所述N型硅片頂部還設有第二P阱，所述第二P阱內設有至少一個第二N擴散區；

所述N型硅片頂部連接絕緣層，所述絕緣層上設有輸出電極，所述輸出電極穿過所述絕緣層分別與所述第一P阱和第一N擴散區電連接，所述絕緣層內還設有控制電極，所述控制電極用來接收驅動所述陽極電極和輸出電極導通的控制信號A，所述絕緣層在所述第二P阱的對應處分別設有陰極電極和門極電極，所述陰極電極和門極電極被所述絕緣層隔開，所述陰極電極穿過所述絕緣層與所述第二N擴散區電連接，所述門極電極穿過所述絕緣層與所述第二P阱電連接，用來接收驅動所述陽極電極和陰極電極導通的控制信號B。

2.根據權利要求1所述的采用電壓驅動的可控硅，其特征在于：所述第一P阱內平行設有兩所述第一N擴散區。

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