[發(fā)明專利]OLED顯示基板及其制作方法、顯示面板、顯示裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010511389.1 | 申請(qǐng)日: | 2020-06-08 |
| 公開(公告)號(hào): | CN111584608B | 公開(公告)日: | 2022-07-22 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 溫夢(mèng)陽(yáng);樊星;左岳平;王純陽(yáng);張雄南 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 京東方科技集團(tuán)股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L27/32 | 分類號(hào): | H01L27/32;H01L51/56;H01L51/52 |
| 代理公司: | 北京銀龍知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11243 | 代理人: | 許靜;張博 |
| 地址: | 100015 *** | 國(guó)省代碼: | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說(shuō)明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | oled 顯示 及其 制作方法 面板 顯示裝置 | ||
本發(fā)明提供了一種OLED顯示基板及其制作方法、顯示面板、顯示裝置,屬于顯示技術(shù)領(lǐng)域。其中,OLED顯示基板包括:襯底基板;位于襯底基板上的薄膜晶體管陣列層;位于所述薄膜晶體管陣列層遠(yuǎn)離所述襯底基板一側(cè)的平坦層;位于所述平坦層上的第一電極;位于所述第一電極遠(yuǎn)離所述襯底基板一側(cè)的像素界定層,所述像素界定層限定出像素區(qū)域;位于所述像素界定層遠(yuǎn)離襯底基板一側(cè)的有機(jī)功能層和第二電極;其中,所述像素界定層的側(cè)表面朝向所述像素區(qū)域的一側(cè)設(shè)置有絕緣阻隔層。本發(fā)明的技術(shù)方案能夠保證OLED顯示基板的顯示效果。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域,特別是指一種OLED顯示基板及其制作方法、顯示面板、顯示裝置。
背景技術(shù)
OLED(Organic Light-Emitting Diode,有機(jī)發(fā)光二極管,簡(jiǎn)稱OLED)顯示裝置由于具有薄、輕、寬視角、主動(dòng)發(fā)光、發(fā)光顏色連續(xù)可調(diào)、成本低、響應(yīng)速度快、能耗小、驅(qū)動(dòng)電壓低、工作溫度范圍寬、生產(chǎn)工藝簡(jiǎn)單、發(fā)光效率高及可柔性顯示等優(yōu)點(diǎn),已被列為極具發(fā)展前景的下一代顯示技術(shù)。
相關(guān)技術(shù)中,OLED顯示產(chǎn)品的像素界定層采用有機(jī)光阻制作,在OLED顯示產(chǎn)品的使用過(guò)程中,如果OLED顯示產(chǎn)品受到紫外光照射,像素界定層會(huì)產(chǎn)生氣體,侵蝕有機(jī)功能層,使得有機(jī)功能層的邊緣損壞不能發(fā)光,從而導(dǎo)致像素收縮,影響OLED顯示產(chǎn)品的顯示效果。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種OLED顯示基板及其制作方法、顯示面板、顯示裝置,能夠保證OLED顯示基板的顯示效果。
為解決上述技術(shù)問(wèn)題,本發(fā)明的實(shí)施例提供技術(shù)方案如下:
一方面,提供一種OLED顯示基板,包括:
襯底基板;
位于襯底基板上的薄膜晶體管陣列層;
位于所述薄膜晶體管陣列層遠(yuǎn)離所述襯底基板一側(cè)的平坦層;
位于所述平坦層上的第一電極;
位于所述第一電極遠(yuǎn)離所述襯底基板一側(cè)的像素界定層,所述像素界定層限定出像素區(qū)域;
位于所述像素界定層遠(yuǎn)離襯底基板一側(cè)的有機(jī)功能層和第二電極;
其中,所述像素界定層的側(cè)表面朝向所述像素區(qū)域的一側(cè)設(shè)置有絕緣阻隔層。
一些實(shí)施例中,所述絕緣阻隔層采用無(wú)機(jī)絕緣材料。
一些實(shí)施例中,所述絕緣阻隔層采用氧化鉬。
一些實(shí)施例中,所述像素界定層遠(yuǎn)離所述襯底基板一側(cè)的表面設(shè)置有遮光層。
一些實(shí)施例中,所述遮光層包括多個(gè)間隔排布的遮光圖形。
一些實(shí)施例中,所述絕緣阻隔層的厚度為200-400nm。
本發(fā)明的實(shí)施例還提供了一種顯示面板,包括如上所述的OLED顯示基板。
本發(fā)明的實(shí)施例還提供了一種顯示裝置,包括如上所述的OLED顯示基板。
本發(fā)明的實(shí)施例還提供了一種OLED顯示基板的制作方法,包括:
在襯底基板上形成薄膜晶體管陣列層;
在所述薄膜晶體管陣列層遠(yuǎn)離所述襯底基板的一側(cè)形成平坦層;
在所述平坦層上形成第一電極;
在所述第一電極遠(yuǎn)離所述襯底基板的一側(cè)形成像素界定層,所述像素界定層限定出像素區(qū)域;
在所述像素界定層的側(cè)表面朝向所述像素區(qū)域的一側(cè)形成絕緣阻隔層;
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于京東方科技集團(tuán)股份有限公司,未經(jīng)京東方科技集團(tuán)股份有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202010511389.1/2.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇:一種多功能大米傳送烘干裝置
- 下一篇:濕繞組電機(jī)穿線工藝
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過(guò)這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





