[發明專利]一種透射式光電陰極及其制備方法和應用

有效

• 申請號: 202010511186.2
• 申請日: 2020-06-08
• 公開（公告）號: CN111627783B
• 公開（公告）日: 2023-01-17
• 發明（設計）人: 蔡志鵬;張景文
• 申請（專利權）人: 陜西理工大學;西安交通大學
• 主分類號: H01J1/34
• 分類號: H01J1/34;H01J40/06;H01J43/08;H01J31/50;H01J9/12
• 代理公司: 北京高沃律師事務所 11569
• 代理人: 代芳

1.一種透射式光電陰極，其特征在于，沿光入射方向包括依次層疊設置的外表面增透膜、玻璃窗、粘接膜/內表面增透膜、緩沖層、發射層和激活層；

所述粘接膜/內表面增透膜包括粘接膜和內表面增透膜；

所述內表面增透膜位于玻璃窗表面的中央位置，且未至所述玻璃窗表面的邊緣位置；所述粘接膜位于玻璃窗表面的邊緣位置，且與所述內表面增透膜緊密連接；

所述粘接膜的厚度大于所述內表面增透膜的厚度。

2.如權利要求1所述的透射式光電陰極，其特征在于，所述外表面增透膜或所述內表面增透膜獨立地包括≥1層的光學薄膜；

每層所述光學薄膜的材料獨立地為TiO₂、SiO₂、Si₃N₄、SnO₂、HfO₂、Al₂O₃、Bi₂O₃、AlO_xN_y、AlF₃、BiF₃、CeF₃、CeO₂、CsBr、CsI、Cr₂O₃、金剛石、Dy₂O₃、Eu₂O₃、Gd₂O₃、Ho₂O₃、In₂O₃、Nb₂O₅、Nd₂O₃、PbCl₂、Pr₆O₁₁、Sc₂O₃、Sb₂O₃、Sm₂O₃、Y₂O₃、ZnO、ZnS、BeO、MgO、MgF₂、ZrO₂、La₂O₃、La₂O₅、LiF、CaF₂、LaF₃、BaF₂、NaF、Na₃AlF₆、SrF₂、NdF₃、PbF₂、YbF₃、SmF₃和ThF₄中的一種或幾種。

3.如權利要求2所述的透射式光電陰極，其特征在于，所述外表面增透膜的厚度為5nm～10μm；

所述內表面增透膜的厚度為30nm～10μm。

4.如權利要求3所述的透射式光電陰極，其特征在于，

當所述內表面增透膜包括1層光學薄膜時，所述光學薄膜為Si₃N₄薄膜，厚度為30～80nm；

當所述內表面增透膜包括1層的光學薄膜時，所述內表面增透膜與所述緩沖層接觸的光學薄膜為Si₃N₄薄膜；且所述內表面增透膜中的Si₃N₄薄膜的總厚度≥30nm。

5.如權利要求1所述的透射式光電陰極，其特征在于，所述粘接膜，自所述緩沖層始，包括依次設置的Si₃N₄膜和SiO₂膜；所述Si₃N₄膜的厚度≥30nm。