[發明專利]一種以Mo-二氧化錫作為電子傳輸層的鈣鈦礦太陽能電池及其制備方法有效
| 申請號: | 202010510530.6 | 申請日: | 2020-06-08 |
| 公開(公告)號: | CN111668377B | 公開(公告)日: | 2022-02-18 |
| 發明(設計)人: | 劉向陽;趙曉偉;牛晨;丁恒川 | 申請(專利權)人: | 河南大學 |
| 主分類號: | H01L51/46 | 分類號: | H01L51/46;H01L51/48;H01L51/42;B82Y40/00;B82Y30/00;B82Y10/00 |
| 代理公司: | 鄭州聯科專利事務所(普通合伙) 41104 | 代理人: | 張麗 |
| 地址: | 475001*** | 國省代碼: | 河南;41 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 mo 氧化 作為 電子 傳輸 鈣鈦礦 太陽能電池 及其 制備 方法 | ||
1.一種以Mo-SnO2作為電子傳輸層的鈣鈦礦太陽能電池的制備方法,其特征在于,包括如下步驟:
(1)在潔凈ITO電極上沉積Mo-SnO2電子傳輸層,具體過程為:將Mo-SnO2水分散溶液用去離子水稀釋,用氨水調節pH值為9-10,利用旋涂法將調節pH后的Mo-SnO2水分散溶液沉積在潔凈ITO電極上,退火處理,即可得到Mo-SnO2電子傳輸層;
(2)在Mo-SnO2電子傳輸層上沉積NH4Cl/KCl作為界面修飾層;
(3)在NH4Cl/KCl界面修飾層上沉積含有P123 的(FA0.85MA0.15)1-xCsxPb(I1-yBry)3光敏層,x的取值范圍為0.01~0.1,y的取值范圍為0.1~0.5;
(4)在光敏層上沉積Spiro-OMeTAD空穴傳輸層;
(5)在Spiro-OMeTAD空穴傳輸層上蒸鍍Au對電極,即得;
所述Mo-SnO2水分散溶液通過下述方法獲得:
(a)將Sn粉和MoO3粉混合,加入去離子水;在冰水浴下攪拌,其中Mo摩爾量占Sn摩爾量的1~8%;
(b)向步驟(a)中所得物中滴加醋酸,并在低于50 ℃下攪拌至Sn粉和MoO3完全溶解;
(c)向步驟(b)的溶液中滴加H2O2;
(d)向步驟(c)所得溶液滴加氨水,攪拌、得到沉淀;在攪拌狀態下將沉淀物陳化12~24h,反復抽濾洗滌至濾液電導率≤250 μS cm-1,得到Mo-SnO2前驅體溶液;
(e)將所得Mo-SnO2前驅體溶液用去離子水稀釋,并用氨水調節pH值為9~10,在120~230℃下水熱反應12~24 h,即可得到Mo-SnO2水分散溶液。
2.根據權利要求1所述以Mo-SnO2作為電子傳輸層的鈣鈦礦太陽能電池的制備方法,其特征在于,Sn粉為10 g時,步驟(b)中加入55~65 mL濃度為15~20wt%醋酸,步驟(c)中加入3~5 mL濃度為10~20 wt% H2O2,步驟(d)中加入55~65 mL濃度為10~15 wt%氨水。
3.根據權利要求1所述以Mo-SnO2作為電子傳輸層的鈣鈦礦太陽能電池的制備方法,其特征在于,所述NH4Cl/KCl界面修飾層制備過程如下:將NH4Cl和KCl按照摩爾比1:1加入去離子水中,攪拌使兩者充分溶解,得到NH4Cl和KCl總濃度為0.5 mg mL-1混合溶液,一次性沉積60 μL NH4Cl/KCl溶液至Mo-SnO2電子傳輸層,退火處理,即得。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于河南大學,未經河南大學許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202010510530.6/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的,如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





