[發明專利]晶圓檢測方法及晶圓檢測模組在審
| 申請號: | 202010510195.X | 申請日: | 2020-06-08 |
| 公開(公告)號: | CN111640686A | 公開(公告)日: | 2020-09-08 |
| 發明(設計)人: | 劉昊巖 | 申請(專利權)人: | 劉昊巖 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66 |
| 代理公司: | 深圳荷盛弼泉專利代理事務所(普通合伙) 44634 | 代理人: | 姜成康 |
| 地址: | 518101 廣東省深圳*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 檢測 方法 模組 | ||
1.一種晶圓檢測方法,其特征在于,所述晶圓檢測方法包括:
提供一待測晶圓片,所述待測晶圓片具有復數個光學微結構;
于所述待測晶圓片的背面,選定若干個區域并逐個進行照光;
于所述待測晶圓片的正面,偵測光線透射所述區域后的影像;以及
分析所述影像以判斷所述待測晶圓片是否符合規范。
2.如權利要求1所述的晶圓檢測方法,其特征在于,每一個所述區域包括至少一個晶粒。
3.如權利要求1所述的晶圓檢測方法,其特征在于,所述復數個光學微結構為衍射光學微結構、透鏡結構或擴散結構。
4.如權利要求1所述的晶圓檢測方法,其特征在于,所述待測晶圓片為硅晶圓,所述光學微結構為樹脂材質。
5.如權利要求1所述的晶圓檢測方法,其特征在于,所述影像為所述區域的輻照能量分布影像。
6.如權利要求5所述的晶圓檢測方法,其特征在于,所述若干個選定的所述區域包括位于所述待測晶圓片中央位置的區域以及位于所述待測晶圓片邊緣位置的區域。
7.如權利要求6所述的晶圓檢測方法,其特征在于,其中分析所述影像以判斷所述待測晶圓片是否符合規范的步驟更包括:
以標準輻照能量分布圖或標準輻照能量數值取樣點數值,設定一浮動范圍數值;且
將所述待測晶圓片中央位置的區域的影像以及位于所述待測晶圓片邊緣位置的區域的影像,與所述設定的浮動范圍數值進行比對,若各所述區域的影像對比值在所述設定的浮動范圍數值內則判定其符合規定,若各所述區域的影像對比值超出了所述設定的浮動范圍數值則判定其不符合規范。
8.一種晶圓檢測模組,可用于一晶圓檢測方法中,其特征在于,所述晶圓檢測模組包括:
待測晶圓片,所述待測晶圓片具有復數個光學微結構;
光源裝置,設置于所述待測晶圓片的背面,用于為所述待測晶圓片提供光源或照光;及
感測機構,設置于所述待測晶圓片的正面,用于對經所述光源裝置光照后的所述待測晶圓片拍攝影像。
9.如權利要求8所述的晶圓檢測模組,其特征在于,所述光源裝置為垂直腔面發射激光器(VCSEL)或邊發射激光器(EEL),波長范圍至少覆蓋760-1100nm波段。
10.如權利要求8所述的晶圓檢測模組,其特征在于,所述感測機構更包括一攝像裝置,所述攝像裝置對光照后的所述待測晶圓片拍攝影像。
11.如權利要求8所述的晶圓檢測模組,其特征在于,所述感測機構更包括一攝像裝置和一屏幕,所述光源裝置發出的光照射所述待測晶圓片后投射于所述屏幕上,所述攝像裝置拍攝所述屏幕上的影像并儲存。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





