[發明專利]一種3dB正交混合耦合器及射頻前端模塊、通信終端

有效

• 申請號: 202010503553.4
• 申請日: 2020-06-05
• 公開（公告）號: CN111755792B
• 公開（公告）日: 2022-03-04
• 發明（設計）人: 陳崗;白云芳
• 申請（專利權）人: 唯捷創芯（天津）電子技術股份有限公司
• 主分類號: H01P5/16
• 分類號: H01P5/16
• 代理公司: 北京汲智翼成知識產權代理事務所(普通合伙) 11381
• 代理人: 陳曦;任佳

1.一種3dB正交混合耦合器，其特征在于設置在基板上，包括射頻信號輸入端口、第一射頻信號輸出端口、第二射頻信號輸出端口、隔離端口、連接于所述射頻信號輸入端口和所述第一射頻信號輸出端口之間的直通金屬線圈，連接于所述隔離端口和所述第二射頻信號輸出端口之間的耦合金屬線圈，所述隔離端口連接隔離電阻到地，所述直通金屬線圈與所述耦合金屬線圈采用層疊結構與共面結構的組合形式；

位于首層的所述耦合金屬線圈的一端連接所述第二 射頻信號輸出端口，并通過第五通孔分別與位于奇數層的所述耦合金屬線圈的一端連接，位于首層的所述耦合金屬線圈的另一端通過第六通孔分別與位于偶數層的所述耦合金屬線圈的一端、奇數層的所述耦合金屬線圈的另一端連接，位于第二層的所述耦合金屬線圈的另一端通過第七通孔分別與位于偶數層的所述耦合金屬線圈的另一端連接，位于最后一層的所述耦合金屬線圈的另一端與所述隔離端口連接；

位于首層的所述直通金屬線圈的一端連接所述第一射頻信號輸出端口，并通過第八通孔分別與位于奇數層的所述直通金屬線圈的一端連接，位于首層的所述直通金屬線圈的另一端通過第九通孔分別與位于偶數層的所述直通金屬線圈的一端、奇數層的所述直通金屬線圈的另一端連接，位于第二層的所述直通金屬線圈的另一端與所述射頻信號輸入端口連接，并通過第十通孔分別與位于偶數層的所述直通金屬線圈的另一端連接；

當所述射頻信號輸入端口輸入射頻輸入信號時，所述直通金屬線圈與所述耦合金屬線圈通過電磁耦合和電容耦合，一半的所述射頻輸入信號流向所述第一射頻信號輸出端口，另一半的所述射頻輸入信號耦合到所述第二射頻信號輸出端口，兩路射頻輸出信號相位相差90度。

2.如權利要求1所述的3dB正交混合耦合器，其特征在于：

所述直通金屬線圈與所述耦合金屬線圈通過金屬線圈表面與金屬線圈邊緣組合的形式進行電容耦合。

3.如權利要求2所述的3dB正交混合耦合器，其特征在于：

在所述基板上，每一層的所述直通金屬線圈與所述耦合金屬線圈等間距交錯排布，相鄰層之間的所述直通金屬線圈與所述耦合金屬線圈的位置相反。

4.一種射頻前端模塊，其特征在于所述射頻前端模塊中包括權利要求1～3中任意一項所述的3dB正交混合耦合器。

5.一種通信終端，其特征在于所述通信終端中包括權利要求1～3中任意一項所述的3dB正交混合耦合器。