[發明專利]一種芯片封裝體的制備方法

在審

• 申請號: 202010501969.2
• 申請日: 2020-06-04
• 公開（公告）號: CN111640721A
• 公開（公告）日: 2020-09-08
• 發明（設計）人: 張文斌
• 申請（專利權）人: 廈門通富微電子有限公司
• 主分類號: H01L23/488
• 分類號: H01L23/488;H01L23/498;H01L23/49;H01L23/31;H01L21/56
• 代理公司: 深圳市威世博知識產權代理事務所(普通合伙) 44280
• 代理人: 黎堅怡

1.一種芯片封裝體的制備方法，其特征在于，所述芯片封裝體的制備方法包括：

在芯片的非功能面上形成第一凹槽，所述第一凹槽自所述芯片的非功能面延伸至所述芯片的功能面上的接地焊盤；

在所述芯片的所述非功能面上以及所述第一凹槽內形成再布線層，所述再布線層與所述接地焊盤電連接；

將所述再布線層與基板的接地區域電連接，以使所述芯片的所述接地焊盤通過所述再布線層與所述基板的所述接地區域電連接。

2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述在芯片的非功能面上形成第一凹槽之前，包括：

將包括多個所述芯片的晶圓黏貼在載板上，所述芯片的功能面與所述載板貼合；

研磨所述晶圓遠離所述載板的一側以使所述晶圓的厚度減小。

3.根據權利要求2所述的制備方法，其特征在于，所述在芯片的非功能面上形成第一凹槽，包括：

利用蝕刻工藝在所述晶圓遠離所述載板的一側形成多個所述第一凹槽，且所述第一凹槽與所述接地焊盤一一對應。

4.根據權利要求1-3任一項所述的制備方法，其特征在于，所述在所述芯片的所述非功能面上以及所述第一凹槽內形成再布線層之前包括：

在所述芯片的非功能面一側形成絕緣層，所述絕緣層覆蓋所述芯片的非功能面、所述第一凹槽的側壁和所述接地焊盤從所述第一凹槽中露出的表面；

在所述絕緣層對應所述接地焊盤的位置形成第一開口，以使所述接地焊盤從所述絕緣層中露出。

5.根據權利要求4所述的制備方法，其特征在于，所述在所述芯片的所述非功能面上以及所述第一凹槽內形成再布線層，包括：

利用電鍍或化學鍍的方式在所述絕緣層和從所述絕緣層中露出的所述接地焊盤表面形成所述再布線層。

6.根據權利要求4所述的制備方法，其特征在于，所述將所述再布線層與基板的接地區域電連接之前，包括：

去除所述載板；

切割掉相鄰的所述芯片之間的部分所述絕緣層和所述再布線層，以獲得包含單個所述芯片的第一封裝體。

7.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述在所述芯片的所述非功能面上以及所述第一凹槽內形成再布線層之后，包括：

在所述第一凹槽內形成底填膠，所述底填膠遠離所述芯片的一側與所述芯片的所述非功能面一側的所述再布線層齊平。

8.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述將所述再布線層與基板的接地區域電連接，包括：

在所述基板的所述接地區域形成導電膠；

將所述再布線層與所述基板的所述接地區域上的所述導電膠電連接，以使所述芯片的所述接地焊盤通過所述再布線層、所述導電膠與所述基板的所述接地區域電連接。

9.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述將所述再布線層與基板的接地區域電連接之后，包括：

利用打線的方式將所述芯片的所述功能面上的信號傳輸區焊盤與所述基板上的連接焊盤電連接。

10.根據權利要求9所述的制備方法，其特征在于，所述利用打線的方式將所述芯片的所述功能面上的信號傳輸區焊盤與所述基板上的連接焊盤電連接之后，包括：

在所述芯片的兩側以及所述芯片的兩側形成塑封層，所述塑封層覆蓋所述連接焊盤。