[發(fā)明專利]具有背腔結(jié)構(gòu)的器件及其形成方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010501061.1
• 申請日: 2020-06-04
• 公開（公告）號: CN111620300B
• 公開（公告）日: 2023-07-28
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 王紅海;劉國安;呂林靜
• 申請（專利權(quán)）人: 紹興中芯集成電路制造股份有限公司
• 主分類號: B81C1/00
• 分類號: B81C1/00;B81B7/00;B81B7/02
• 代理公司: 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 曹廷廷

1.一種具有背腔結(jié)構(gòu)的器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供一襯底，所述襯底中靠近第一表面的材料包括硅，并在所述襯底的第一表面上形成功能層，所述功能層包括最接近襯底的氧化硅層；

形成阻擋層，所述阻擋層的材料包括氮化硅，并掩埋在所述功能層的氧化硅層中；

在所述功能層上形成保護層，所述保護層的材料包括氧化硅；

從所述襯底的第二表面刻蝕所述襯底，以在所述襯底中形成背腔，所述背腔暴露出部分所述功能層的氧化硅層；以及，

刻蝕所述保護層，以去除所述保護層，并且所述保護層的刻蝕劑還刻蝕所述氧化硅層暴露于所述背腔中的部分，直至刻蝕停止于所述阻擋層，以使所述阻擋層被保留并暴露于所述背腔。

2.如權(quán)利要求1所述的具有背腔結(jié)構(gòu)的器件的形成方法，其特征在于，所述阻擋層包括第一阻擋部和第二阻擋部，所述第一阻擋部的底部從所述功能層縱向延伸至所述襯底的第一表面，并且所述第一阻擋部圍繞在背腔區(qū)域的外圍，所述第二阻擋部掩埋在所述功能層中并橫向覆蓋所述第一阻擋部的頂部。

3.如權(quán)利要求1所述的具有背腔結(jié)構(gòu)的器件的形成方法，其特征在于，所述保護層的形成方法包括沉積工藝；以及，刻蝕所述保護層的方法包括濕法刻蝕工藝。

4.如權(quán)利要求1所述的具有背腔結(jié)構(gòu)的器件的形成方法，其特征在于，所述具有背腔結(jié)構(gòu)的器件包括微加熱板器件，以及所述功能層包括依次形成在所述襯底上的隔熱層和加熱板。

5.一種采用如權(quán)利要求1~4任一項所述的形成方法制備的具有背腔結(jié)構(gòu)的器件，包括：

襯底，所述襯底具有第一表面和第二表面，以及所述襯底中還形成有貫穿所述襯底的背腔；以及，

功能層，形成在所述襯底的第一表面上，并封蓋在所述背腔。

6.如權(quán)利要求5所述的具有背腔結(jié)構(gòu)的器件，其特征在于，還包括：

阻擋層，形成在所述功能層靠近襯底的表面上，并暴露于所述背腔中。

7.如權(quán)利要求6所述的具有背腔結(jié)構(gòu)的器件，其特征在于，所述阻擋層包括第一阻擋部和第二阻擋部，所述第一阻擋部位于所述襯底的第一表面上并圍繞在所述背腔的外圍，所述第二阻擋部遮蓋由所述第一阻擋部圍繞出的空間，并由所述第一阻擋部和所述第二阻擋部界定出一凹槽，所述凹槽內(nèi)陷至所述功能層中并與所述背腔連通。