[發(fā)明專利]垂直存儲器裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010500836.3
• 申請日: 2020-06-04
• 公開（公告）號: CN112038352A
• 公開（公告）日: 2020-12-04
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 白石千
• 申請（專利權(quán)）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/11563
• 分類號: H01L27/11563;H01L27/1157;H01L27/11578;H01L27/11573
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112
• 代理人: 趙南;張帆

一種垂直存儲器裝置包括：基板，其包括第一區(qū)域和第二區(qū)域；柵電極，其在第一方向上彼此間隔開，柵電極中的每一個在第一區(qū)域和第二區(qū)域上在第二方向上延伸，并且柵電極在第二區(qū)域上堆疊；溝道，其在第一區(qū)域上在第一方向上延伸，該溝道延伸穿過柵電極；在第一柵電極的端部上的第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，該端部在第二區(qū)域上，該第一柵電極設(shè)置在最下水平處；以及在第二區(qū)域上在第二方向上與第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)間隔開的第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，該第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)在第一方向上不與第一柵電極重疊并且設(shè)置在與第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的高度不同的高度處。

相關(guān)申請的交叉引用

本申請要求2019年6月4日提交于韓國知識產(chǎn)權(quán)局(KIPO)的韓國專利申請No.10-2019-0066135的優(yōu)先權(quán)，其公開內(nèi)容整體以引用方式并入本文中。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明構(gòu)思涉及垂直存儲器裝置。

背景技術(shù)

當(dāng)制造VNAND閃存裝置時，絕緣襯墊可設(shè)置在犧牲層的端部，以在柵電極的端部形成用于接觸接觸插塞的襯墊。在柵極替換工藝期間，絕緣襯墊可由金屬替換。金屬柵極可導(dǎo)致電短路，因此最終被去除。然而，絕緣襯墊的去除花費時間并且不容易，從而導(dǎo)致VNAND閃存裝置的成本增加。

發(fā)明內(nèi)容

根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例，提供了一種垂直存儲器裝置。該垂直存儲器裝置可包括：基板，其包括第一區(qū)域以及至少部分地圍繞第一區(qū)域的第二區(qū)域；在多個水平處的柵電極，所述柵電極在與基板的上表面實質(zhì)上垂直的第一方向上彼此間隔開，柵電極中的每一個在第一區(qū)域和第二區(qū)域上在實質(zhì)上平行于上表面的第二方向上延伸，并且所述柵電極在第二區(qū)域上以階梯形狀堆疊；在第一區(qū)域上在第一方向上延伸的溝道，該溝道延伸穿過柵電極；在柵電極當(dāng)中的第一柵電極的端部上的第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，該端部在第二區(qū)域上，第一柵電極設(shè)置在所述多個水平當(dāng)中的最下水平處；以及在第二區(qū)域上在第二方向上與第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)間隔開的第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，該第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)在第一方向上不與第一柵電極重疊并且設(shè)置在與第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的高度不同的高度處。

根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例，提供了一種垂直存儲器裝置。該垂直存儲器裝置可包括：基板，其包括單元陣列區(qū)域、至少部分地圍繞單元陣列區(qū)域的延伸區(qū)域以及至少部分地圍繞延伸區(qū)域的電路區(qū)域；在多個水平處的柵電極，所述柵電極在與基板的上表面實質(zhì)上垂直的第一方向上彼此間隔開，柵電極中的每一個在基板的單元陣列區(qū)域和延伸區(qū)域上在與基板的上表面實質(zhì)上平行的第二方向上延伸，并且所述柵電極在基板的延伸區(qū)域上以階梯形狀堆疊；在基板的單元陣列區(qū)域上在第一方向上延伸的溝道，該溝道延伸穿過柵電極；在基板的電路區(qū)域的一部分上與柵電極當(dāng)中的第一柵電極在第二方向上的端部間隔開的第一絕緣襯墊，該第一柵電極設(shè)置在所述多個水平中的最下水平處，并且該第一絕緣襯墊相對于基板的上表面高于第一柵電極；以及在基板的電路區(qū)域上在第二方向上與第一絕緣襯墊間隔開的第二絕緣襯墊，該第二絕緣襯墊在與第一絕緣襯墊的高度不同的高度處，其中，第一絕緣襯墊和第二絕緣襯墊包括實質(zhì)上相同的材料。

根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例，提供了一種垂直存儲器裝置。該垂直存儲器裝置可包括：基板，其包括單元陣列區(qū)域、至少部分地圍繞單元陣列區(qū)域的延伸區(qū)域以及至少部分地圍繞延伸區(qū)域的電路區(qū)域；在多個水平處的柵電極，所述柵電極在與基板的上表面實質(zhì)上垂直的第一方向上彼此間隔開，柵電極中的每一個在基板的單元陣列區(qū)域和延伸區(qū)域上在與基板的上表面實質(zhì)上平行的第二方向上延伸，并且所述柵電極在基板的延伸區(qū)域上以階梯形狀堆疊；在基板的單元陣列區(qū)域上在第一方向上延伸的溝道，該溝道延伸穿過柵電極；比柵電極當(dāng)中的第一柵電極高并且比柵電極中的第二柵電極低的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，該導(dǎo)電結(jié)構(gòu)在第一方向上與第一柵電極的端部重疊，該第一柵電極與基板的上表面相鄰；以及在基板的電路區(qū)域上在第一方向上延伸的切斷圖案，該切斷圖案接觸導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。