[發明專利]一種陶瓷生坯素燒的方法在審
| 申請號: | 202010500233.3 | 申請日: | 2020-06-04 |
| 公開(公告)號: | CN111592343A | 公開(公告)日: | 2020-08-28 |
| 發明(設計)人: | 趙小晶 | 申請(專利權)人: | 趙小晶 |
| 主分類號: | C04B35/10 | 分類號: | C04B35/10;C04B35/64 |
| 代理公司: | 北京高沃律師事務所 11569 | 代理人: | 趙曉琳 |
| 地址: | 中國香港九龍觀塘*** | 國省代碼: | 香港;81 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 陶瓷 生坯 方法 | ||
1.一種陶瓷生坯素燒的方法,其特征在于,包括以下步驟:
將陶瓷生坯依次進行氧化氣氛燒成、還原氣氛燒成和冷卻,得到陶瓷坯;
所述氧化氣氛燒成的燒成曲線為在14~16min內由200℃升溫至600℃,在9~11min內由600℃升溫至950℃,在4~6min內由950℃升溫至1080℃;所述還原氣氛燒成的起始溫度比氧化氣氛燒成的終止溫度低95~105℃,所述還原氣氛燒成的燒成曲線為在4~6min內由950℃降溫至750℃;所述冷卻在還原氣氛中進行。
2.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,所述冷卻包括依次進行的急冷、緩冷和快冷,所述急冷起始位置的氣體溫度為580~620℃,終止位置的氣體溫度為510~530℃,所述急冷的區域內氣體冷卻速率為140~150℃/min;所述緩冷的終止位置的氣體溫度為470~490℃,所述緩冷的區域內氣體冷卻速率為28~32℃/min;所述快冷的終止位置的氣體溫度為380~400℃,所述快冷的區域內氣體冷卻速率為45~53℃/min;所述陶瓷坯體素燒的過程中走磚速度為6~8m/min。
3.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,所述冷卻在正壓條件下進行。
4.根據權利要求1~3任一項所述的方法,其特征在于,所述冷卻通過在冷卻的區域放置水或向冷卻區域噴水進行;所述放置水的方式為將水放置在水槽中,所述水槽為可拆卸的水槽。
5.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,所述還原氣氛燒成的氣源為煤氣或天然氣。
6.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,所述陶瓷生坯由瓷粉制備得到,所述瓷粉中氧化鐵的含量為1~4%。
7.根據權利要求6所述的方法,其特征在于,所述瓷粉包括以下質量百分比的化學組分:
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