[發(fā)明專利]一種四結(jié)級(jí)聯(lián)太陽電池及其制備方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010500164.6 | 申請(qǐng)日: | 2020-06-04 |
| 公開(公告)號(hào): | CN111613689A | 公開(公告)日: | 2020-09-01 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 何洋 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 常州信息職業(yè)技術(shù)學(xué)院 |
| 主分類號(hào): | H01L31/0725 | 分類號(hào): | H01L31/0725;H01L31/0336;H01L31/18 |
| 代理公司: | 南京知識(shí)律師事務(wù)所 32207 | 代理人: | 王昊 |
| 地址: | 213164 江蘇省常州市*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 級(jí)聯(lián) 太陽電池 及其 制備 方法 | ||
1.一種四結(jié)級(jí)聯(lián)太陽電池,其特征在于,包括自上而下依次設(shè)置的背面電極、InGaAs/InGaAsP/InAlAs三結(jié)太陽電池、MoS2/InP范德瓦爾斯異質(zhì)結(jié)以及正面電極;其中,所述InGaAs/InGaAsP/InAlAs三結(jié)太陽電池為PN結(jié)型三結(jié)電池,所述MoS2/InP范德瓦爾斯異質(zhì)結(jié)包括InP導(dǎo)電襯底及覆設(shè)于所述導(dǎo)電襯底一端面的二硫化鉬層;所述四結(jié)級(jí)聯(lián)太陽電池為基于MoS2/InP范德瓦爾斯異質(zhì)結(jié)倒置生長(zhǎng)的四結(jié)級(jí)聯(lián)太陽電池。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的四結(jié)級(jí)聯(lián)太陽電池,其特征在于,所述PN結(jié)型三結(jié)電池的襯底為P-InP襯底。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的四結(jié)級(jí)聯(lián)太陽電池,其特征在于,所述PN結(jié)型三結(jié)電池的帶隙沿遠(yuǎn)離被剝離InP導(dǎo)電襯底的方向逐漸減小,并且所述PN結(jié)型三結(jié)電池的帶隙小于MoS2/InP范德瓦爾斯異質(zhì)結(jié)的帶隙。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的四結(jié)級(jí)聯(lián)太陽電池,其特征在于,所述PN結(jié)型三結(jié)電池的帶隙大于二硫化鉬/半導(dǎo)體單結(jié)電池的帶隙。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的四結(jié)級(jí)聯(lián)太陽電池,其特征在于,所述二硫化鉬采用單層二硫化鉬。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的四結(jié)級(jí)聯(lián)太陽電池,其特征在于,所述二硫化鉬層的厚度不超過20nm。
7.一種四結(jié)級(jí)聯(lián)太陽電池的制備方法,其特征在于,包括:
(1)提供在襯底上形成的PN結(jié)型三結(jié)電池和主要由InP導(dǎo)電襯底及覆設(shè)于該襯底一端面的MoS2組成的MoS2/InP范德瓦爾斯單結(jié)太陽電池;
(2)將所述InP襯底端面通過范德瓦爾斯力鍵合MoS2,形成MoS2/InP范德瓦爾斯異質(zhì)結(jié);
(3)將InP襯底上MoS2保護(hù),另一端面減薄處理后倒置生長(zhǎng)InAlAs/InGaAsP/InGaAs三結(jié)太陽電池,形成MoS2/InAlAs/InGaAsP/InGaAs四結(jié)級(jí)聯(lián)太陽電池;
(4)將上述電池的InGaAs一端面轉(zhuǎn)移在Si、玻璃等支撐襯底上;
(5)分別制備頂、底電極。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的四結(jié)級(jí)聯(lián)太陽電池的制備方法,其特征在于,所述二硫化鉬/半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)的制備工藝包括:
(1)通過柔性高分子材料作為支撐層將二維材料將MoS2轉(zhuǎn)移至InP襯底上,形成MoS2/InP范德瓦爾斯單結(jié)太陽電池;
(2)對(duì)InP襯底的另一端面進(jìn)行減薄,并生長(zhǎng)InAlAs子電池、第一遂道結(jié)、InGaAsP子電池、第二遂道結(jié)、InGaAs子電池,其中InAlAs子電池、InGaAsP子電池、InGaAs子電池為倒置生長(zhǎng);
(3)將上述四結(jié)電池轉(zhuǎn)移至如Si片、玻璃等制成襯底上;
(4)在InAlAs子電池表面制作背面電極;
(5)在MoS2材料上位于電極絕緣層上方的區(qū)域作正面電極。
9.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的制備方法,其特征在于,采用MOCVD法或MBE法生長(zhǎng)形成所述太陽能電池。
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