[發明專利]一種基于石墨的臨時鍵合和解鍵方法有效
| 申請號: | 202010500104.4 | 申請日: | 2020-06-04 |
| 公開(公告)號: | CN111599742B | 公開(公告)日: | 2023-06-16 |
| 發明(設計)人: | 朱智源;韓志成;郭靖 | 申請(專利權)人: | 西南大學 |
| 主分類號: | H01L21/683 | 分類號: | H01L21/683 |
| 代理公司: | 北京匯捷知識產權代理事務所(普通合伙) 11531 | 代理人: | 李宏偉 |
| 地址: | 400715*** | 國省代碼: | 重慶;50 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 基于 石墨 臨時 和解 方法 | ||
1.一種基于石墨的臨時鍵合和解鍵方法,其特征在于,包括以下步驟:?步驟1、提供一載片,在所述載片的正面規則的開一定形狀的槽;?步驟2、在所述載片的槽中放置石墨;?步驟3、將載片正面和器件晶圓上設置鍵合膠;?步驟4、將器件晶圓正面與載片正面進行鍵合,得到臨時晶圓鍵合對;?步驟5、對加工后的臨時晶圓鍵合對,對器件晶圓背面進行加工;?步驟6、將器件晶圓正面與載片正面進行解鍵合,將器件晶圓與載片進行分離。
2.根據權利要求1所述的基于石墨的臨時鍵合和解鍵方法,其特征在于,步驟1中所述載片的材料使用玻璃。
3.根據權利要求1所述的基于石墨的臨時鍵合和解鍵方法,其特征在于,步驟1中所述載片開槽的寬度為0.5mm~1mm。
4.根據權利要求1所述的基于石墨的臨時鍵合和解鍵方法,其特征在于,步驟1中所述載片開槽通過刻蝕進行制作。
5.根據權利要求1所述的基于石墨的臨時鍵合和解鍵方法,其特征在于,步驟1中所述載片開槽面積占整體載片面積的50%~60%。
6.根據權利要求1所述的基于石墨的臨時鍵合和解鍵方法,其特征在于,步驟2中載片的槽中放置的石墨高度不能超過載片槽深。
7.根據權利要求1所述的基于石墨的臨時鍵合和解鍵方法,其特征在于,步驟2中載片的槽中放置的石墨粉直徑不能超過30μm。
8.根據權利要求1所述的基于石墨的臨時鍵合和解鍵方法,其特征在于,步驟3中的鍵合膠采用聚碳酸亞丙酯和光致產酸劑混合而成。
9.根據權利要求1所述的基于石墨的臨時鍵合和解鍵方法,其特征在于,鍵合膠中使用20wt%的聚碳酸亞丙酯,光致產酸劑為5wt%的4-異丙基-4'-甲基二苯基碘離子四(五氟苯基)硼酸鹽。
10.根據權利要求1所述的基于石墨的臨時鍵合和解鍵方法,其特征在于,步驟3中設置鍵合膠時,需要對設置在設置鍵合膠后的器件晶圓與載片進行加熱,將鍵合膠設置平整,加熱溫度為25°,加熱時間為25分鐘。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





