[發明專利]半導體凸塊及其制備方法、封裝器件

在審

• 申請號: 202010499693.9
• 申請日: 2020-06-04
• 公開（公告）號: CN111627881A
• 公開（公告）日: 2020-09-04
• 發明（設計）人: 孫彬
• 申請（專利權）人: 廈門通富微電子有限公司
• 主分類號: H01L23/488
• 分類號: H01L23/488;H01L23/00;H01L23/31
• 代理公司: 北京中知法苑知識產權代理有限公司 11226
• 代理人: 李明;趙吉陽

1.一種半導體凸塊的制備方法，其特征在于，包括：

提供基底；

在所述基底上形成種子層；

在所述種子層上通過一次構圖工藝形成第一層凸塊和第二層凸塊，以制備得到半導體凸塊，所述第一層凸塊面積小于所述第二層凸塊面積。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述種子層上通過一次構圖工藝形成第一層凸塊和第二層凸塊，包括：

在所述種子層上依次形成第一光刻膠層和第二光刻膠層；

圖形化所述第一光刻膠層和所述第二光刻膠層，分別形成第一開口區域以及與所述第一開口區域相連通的第二開口區域；

在所述第一開口區域內形成所述第一層凸塊，在所述第二開口區域內形成所述第二層凸塊。

3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一光刻膠層的光敏感度小于所述第二光刻膠層的光敏感度，所述圖形化所述第一光刻膠層和所述第二光刻膠層，分別形成第一開口區域以及與所述第一開口區域相連通的第二開口區域，包括：

第一圖形化階段：

對所述第二光刻膠層進行曝光和顯影處理，以在所述第二光刻膠層上形成貫穿其厚度的所述第二開口區域；以及，

對所述第一光刻膠層進行顯影處理，以在所述第一光刻膠層上形成貫穿其厚度的豎向第一開口區域；

第二圖形化階段：

繼續對所述第一光刻膠層進行顯影處理，以在所述第一光刻膠層上形成沿其長度方向貫穿預定深度的橫向第一開口區域；

所述豎向第一開口區域和所述橫向第一開口區域組成所述第一開口區域。

4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，所述第一圖形化階段的時間范圍為80s～100s；和/或，

所述第二圖形化階段的時間范圍為10s～30s。

5.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一光刻膠層的厚度與所述第一層凸塊的高度一致，所述第二光刻膠層的厚度大于所述第二層凸塊的高度。

6.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，所述第一光刻膠層的厚度范圍為1um～5um，所述第二光刻膠層的厚度范圍為10um～15um。

7.根據權利要求1至6任一項所述的方法，其特征在于，所述基底包括襯底以及預先形成在所述襯底上的導電層和覆蓋在所述導電層邊緣區域的保護層；其中，

所述種子層在所述導電層和所述保護層上形成。

8.根據權利要求7所述的方法，其特征在于，在對第一光刻膠層進行第二圖形化階段形成橫向第一開口區域時，

所述橫向第一開口區域在所述導電層上的正投影落在所述導電層外側。

9.一種半導體凸塊，其特征在于，采用權利要求1至8任一項所述的方法制備形成。

10.一種封裝器件，其特征在于，所述封裝器件包括權利要求9所述的半導體凸塊。