[發(fā)明專利]存儲器近接干擾管理

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010499319.9
• 申請日: 2020-06-04
• 公開（公告）號: CN112086121B
• 公開（公告）日: 2023-09-19
• 發(fā)明（設(shè)計）人: J·L·麥克維伊;S·E·布拉德紹;J·埃諾
• 申請（專利權(quán)）人: 美光科技公司
• 主分類號: G11C16/34
• 分類號: G11C16/34;G11C7/04
• 代理公司: 北京律盟知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287
• 代理人: 王龍

1.一種方法，其包括：

響應(yīng)于存取第二存儲器位置而識別第一存儲器位置，所述第一存儲器位置存儲第一值；

將第一干擾值更新第一量，所述第一干擾值表示通過存取靠近所述第一存儲器位置的第一多個存儲器位置對所述第一存儲器位置中的所述第一值的累積干擾效應(yīng)，所述第一多個存儲器位置包含所述第二存儲器位置，且其中所述第一量是基于所述第一存儲器位置相對于所述第二存儲器位置的取向，使得當(dāng)所述取向沿一個軸時所述第一量是一個值且當(dāng)所述取向沿不同的軸時所述第一量是不同的值；和

響應(yīng)于確定所述第一干擾值超過閾值：

從所述第一存儲器位置讀取所述第一值；

將所述第一值寫入到所述第一存儲器位置；和

將所述第一干擾值更新為重置值。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其另外包括：

響應(yīng)于存取所述第一存儲器位置而更新第二干擾值，所述第二干擾值表示通過存取靠近所述第二存儲器位置的第二多個存儲器位置對存儲于所述第二存儲器位置中的第二值的累積干擾效應(yīng)，所述第二多個存儲器位置包含所述第一存儲器位置。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其另外包括在將電力施加到存儲器子系統(tǒng)之后，將包含所述第一干擾值的多個干擾值初始化為處于閾值范圍內(nèi)的值。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其另外包括在失去通到存儲器子系統(tǒng)的主電源之后，將包含所述第一干擾值的多個干擾值寫入到一或多個非易失性存儲器裝置。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其另外包括：

響應(yīng)于確定所述第一干擾值超過干擾閾值：

從所述第一存儲器位置讀取所述第一值以獲得差錯位率BER；和

響應(yīng)于確定所述BER低于差錯閾值，減小所述第一干擾值。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其另外包括：

識別存儲受存取所述第二存儲器位置影響的第二值的第三存儲器位置，其中所述第三存儲器位置沿第一方向與所述第二存儲器位置相鄰且所述第一存儲器位置沿不同于所述第一方向的第二方向與所述第二存儲器位置相鄰；和

將第二干擾值更新不同于所述第一量的第二量，所述第二干擾值表示通過存取靠近所述第三存儲器位置的第二多個存儲器位置對所述第三存儲器位置中的所述第二值的累積效應(yīng)，所述第二多個存儲器位置包含所述第二存儲器位置。

7.一種包括指令的非暫時性計算機可讀存儲媒體，所述指令在由處理裝置執(zhí)行時使所述處理裝置進行以下操作：

響應(yīng)于存取第二存儲器位置而識別第一存儲器位置，所述第一存儲器位置存儲第一值；

將第一干擾值更新第一量，所述第一干擾值表示通過存取靠近所述第一存儲器位置的第一多個存儲器位置對所述第一存儲器位置中的所述第一值的累積干擾效應(yīng)，所述第一多個存儲器位置包含所述第二存儲器位置，且其中所述第一量是基于所述第一存儲器位置相對于所述第二存儲器位置的取向，使得當(dāng)所述取向沿一個軸時所述第一量是一個值且當(dāng)所述取向沿不同的軸時所述第一量是不同的值；和

響應(yīng)于確定所述第一干擾值超過閾值：

從所述第一存儲器位置讀取所述第一值；

將所述第一值寫入到所述第一存儲器位置；和

將所述第一干擾值更新為重置值。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的非暫時性計算機可讀存儲媒體，其中所述處理裝置另外響應(yīng)于存取所述第一存儲器位置而更新第二干擾值，所述第二干擾值表示通過存取靠近所述第二存儲器位置的第二多個存儲器位置對存儲于所述第二存儲器位置中的第二值的累積干擾效應(yīng)，所述第二多個存儲器位置包含所述第一存儲器位置。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的非暫時性計算機可讀存儲媒體，其中所述處理裝置另外在將電力施加到存儲器子系統(tǒng)之后，將包含所述第一干擾值的多個干擾值初始化為處于閾值范圍內(nèi)的值。