[發明專利]極紫外線光刻設備的液滴捕集器系統在審
| 申請號: | 202010499049.1 | 申請日: | 2020-06-04 |
| 公開(公告)號: | CN112305868A | 公開(公告)日: | 2021-02-02 |
| 發明(設計)人: | 涂時雨;鄭博中;張曉倫;陳立銳;張漢龍 | 申請(專利權)人: | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號: | G03F7/20 | 分類號: | G03F7/20 |
| 代理公司: | 南京正聯知識產權代理有限公司 32243 | 代理人: | 顧伯興 |
| 地址: | 中國臺灣新竹科*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 紫外線 光刻 設備 液滴捕集器 系統 | ||
本發明的各種實施例涉及一種極紫外線光刻設備的液滴捕集器(droplet catcher)系統。液滴捕集器系統包含捕集器主體、熱傳遞部件、熱交換器以及控制器。捕集器主體具有外表面。熱傳遞部件直接地附接到捕集器主體的外表面。熱交換器熱聯接到熱傳遞部件。控制器電聯接到熱交換器。
技術領域
本發明的實施例是有關于一種極紫外線光刻設備的液滴捕集器系統。
背景技術
半導體集成電路(integrated circuit,IC)產業已經歷指數生長。IC材料和設計的技術進展已生產數代IC,其中每一代具有比前一代小且更復雜的電路。此按比例縮小還增加了IC加工和制造的復雜性。
僅作為一個實例,半導體光刻工藝可使用光刻模板(例如,光掩模或掩模版)將圖案以光學方式轉印到襯底上。可通過此光刻工藝圖案化的最小特征大小受到經投影的輻射源的波長限制。考慮到此情況,已經引入極紫外線(extreme ultraviolet,EUV)輻射源和光刻工藝。
發明內容
本發明實施例的一種EUV光刻設備的液滴捕集器系統。液滴捕集器系統包含捕集器主體、第一熱傳遞部件、第二熱傳遞部件、熱交換器以及控制器。第一熱傳遞部件直接地附接到捕集器主體。第二熱傳遞部件直接地附接到捕集器主體。熱交換器熱聯接到第二熱傳遞部件。控制器電聯接到熱交換器和第一熱傳遞部件。
本發明實施例的一種EUV光刻設備的液滴捕集器系統。液滴捕集器系統包含捕集器主體、熱傳遞部件、熱交換器以及控制器。捕集器主體具有外表面。熱傳遞部件直接地附接到捕集器主體的外表面。熱交換器熱聯接到熱傳遞部件。控制器電聯接到熱交換器。
本發明實施例的一種EUV光刻設備的維護方法。EUV光刻設備包含源容器、液滴產生器以及液滴捕集器組件。液滴捕集器組件包括捕集器主體和附接到捕集器主體的熱傳遞部件。液滴產生器和捕集器主體連接到源容器且彼此對準。維護方法包含通過使熱傳遞流體流過熱傳遞部件且在捕集器主體的溫度降低到預定點之后破壞源容器的真空狀態來降低捕集器主體的溫度。
附圖說明
當結合附圖閱讀時從以下詳細描述最好地理解本發明的方面。應注意,根據業界中的標準慣例,各個特征未按比例繪制。實際上,為了論述清楚起見,可任意增大或減小各個特征的尺寸。
圖1示意性地示出了根據本發明的一些實施例的EUV光刻設備。
圖2示意性地示出了根據本發明的一些實施例的圖1中所繪示的EUV光刻設備的輻射源。
圖3繪示了經歷EUV光刻設備的例示性預防維護(preventive maintenance,PM)過程的液滴產生器(droplet generator,DG)和液滴捕集器(droplet catcher)的溫度變化。
圖4A為示意性地示出根據本發明的一些實施例的液滴捕集器系統的液滴捕集器組件的橫截面圖。
圖4B為示意性地示出根據本發明的一些實施例的圖4A中所繪示的液滴捕集器組件的透視側視圖。
圖5A為示意性地示出根據本發明的一些實施例的液滴捕集器系統的液滴捕集器組件的橫截面圖。
圖5B為示意性地示出根據本發明的一些實施例的圖5A中所繪示的液滴捕集器組件的透視側視圖。
圖6A為示意性地示出根據本發明的一些實施例的液滴捕集器系統的液滴捕集器組件的橫截面圖。
圖6B為示意性地示出根據本發明的一些實施例的圖6A中所繪示的液滴捕集器組件的俯視透視圖。
圖7為示意性地示出根據本發明的一些實施例的液滴捕集器系統的液滴捕集器組件的橫截面圖。
圖8到圖10為根據本發明的一些實施例的液滴捕集器系統的示意圖。
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