[發明專利]晶片研磨生產用上下料裝置及晶片批量取放方法

在審

• 申請號: 202010496465.6
• 申請日: 2020-06-03
• 公開（公告）號: CN111805417A
• 公開（公告）日: 2020-10-23
• 發明（設計）人: 徐良;朱衛祥;藍文安;占俊杰;楊新鵬;劉建哲;余雅俊;夏建白
• 申請（專利權）人: 浙江博藍特半導體科技股份有限公司
• 主分類號: B24B37/34
• 分類號: B24B37/34;B65G47/91;B24B37/04;B24B7/22
• 代理公司: 北京辰權知識產權代理有限公司 11619
• 代理人: 佟林松

1.一種晶片研磨生產用上下料裝置，其特征在于，包括安裝座(2)、管路結構、盤組件和多個吸盤(1)，其中：

所述盤組件內部形成密閉腔體，所述多個吸盤(1)連接在所述盤組件的下方，并且所述吸盤(1)與所述密閉腔體連通；

所述安裝座(2)設置在所述盤組件的上方，所述管路結構通過所述安裝座(2)并與所述密閉腔體連通。

2.根據權利要求1所述的晶片研磨生產用上下料裝置，其特征在于，所述盤組件包括上結構盤(3)、下結構盤(4)和密封結構(5)，所述上結構盤(3)連接在所述下結構盤(4)上方，并通過所述密封結構(5)密封，所述上結構盤(3)、下結構盤(4)和密封結構(5)之間形成所述密閉腔體。

3.根據權利要求2所述的晶片研磨生產用上下料裝置，其特征在于，所述上結構盤(3)的一側面上開設有迷宮形凹槽(301)，所述下結構盤(4)的一側面上沿其周向開設有多個環狀凹槽(401)，并且所述多個環狀凹槽(401)同軸心設置；所述迷宮式凹槽(301)與所述環狀凹槽(401)相對且連通設置。

4.根據權利要求3所述的晶片研磨生產用上下料裝置，其特征在于，所述下結構盤(4)上開設有多個螺紋孔(402)，并且所述多個螺紋孔(402)沿周向分布在所述多個環狀凹槽(401)內；所述吸盤(1)通過所述螺紋孔(402)與所述下結構盤(4)螺接。

5.根據權利要求4所述的晶片研磨生產用上下料裝置，其特征在于，所述吸盤(1)呈圓形、方形或不規則形狀。

6.根據權利要求2所述的晶片研磨生產用上下料裝置，其特征在于，所述上結構盤(3)的邊緣處設置有多個第一通孔，所述下結構盤(4)的邊緣處設置有多個第二通孔，所述第一通孔與所述第二通孔通過第一螺栓(6)連接。

7.根據權利要求2所述的晶片研磨生產用上下料裝置，其特征在于，所述安裝座(2)包括第一座體(201)、第二座體(202)和支撐柱(203)，所述支撐柱(203)的上端連接所述第一座體(201)，所述支撐柱(203)的下端連接所述第二座體(202)；所述第二座體(202)通過第二螺栓(7)與所述上結構盤(3)螺接。

8.根據權利要求7所述的晶片研磨生產用上下料裝置，其特征在于，所述第一座體(201)和/或所述第二座體(202)為圓盤狀。

9.根據權利要求2所述的晶片研磨生產用上下料裝置，其特征在于，所述管路結構包括接頭(8)、第一輸送管路(9)和第二輸送管路(10)，所述第一輸送管路(9)的一端連通所述接頭(8)的上端，并通過所述接頭(8)連接在所述上結構盤(3)上；所述第二輸送管路(10)的一端連通所述接頭(8)的下端，另一端連通所述密閉腔體。

10.一種晶片批量取放方法，其特征在于，基于權利要求1～9任一項所述的晶片研磨生產用上下料裝置，包括以下步驟：

(1)將安裝座連接輔助運輸機構，并通過輔助運輸機構沿進出方向到達游星輪上方，然后沿上下方向下降至吸盤對應且靠近晶片上表面；

(2)通過管路結構輸入真空，并通過密閉腔體輸送至吸盤；

(3)晶片吸附在對應位置的吸盤上；

(4)通過輔助運輸機構沿上下方向上升，然后沿進出方向退出至研磨機外。