[發(fā)明專利]用于在鍺晶體生長過程中粘出臟料的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010495166.0
• 申請日: 2020-06-03
• 公開（公告）號: CN111809237B
• 公開（公告）日: 2021-10-08
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 張路;于洪國;林泉;杜長嶺;趙哲
• 申請（專利權(quán)）人: 有研光電新材料有限責(zé)任公司
• 主分類號: C30B29/08
• 分類號: C30B29/08;C30B15/00
• 代理公司: 北京辰權(quán)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11619
• 代理人: 佟林松

1.一種用于在鍺晶體生長過程中粘出臟料的方法，其特征在于，包括以下步驟：

將鍺料煅燒完成后，將溫度緩慢降至臨近引晶溫度，控制堝轉(zhuǎn)和晶轉(zhuǎn)，將籽晶緩慢降至鍺熔體液面上方，烘烤；

將籽晶插入鍺熔體，待熔接穩(wěn)定后設(shè)置第一晶體提拉速度，進(jìn)行引晶；

待完成引晶后，降低功率進(jìn)行放肩，保持放肩角度呈鈍角；

待晶體直徑長到目標(biāo)直徑時，將第一晶體提拉速度調(diào)整至第二晶體提拉速度，其中第二晶體提拉速度大于第一晶體提拉速度，點動式開啟、停止第二晶體提拉速度，控制所述臟料的邊緣脫離鍺熔體液面，此時所述臟料的底部凸出鍺熔體的界面，所述臟料的中心區(qū)域與鍺熔體相連，進(jìn)行縮頸生長，再將第二晶體提拉速度調(diào)整至第一晶體提拉速度，繼續(xù)生長晶體；

待晶體直徑長到目標(biāo)直徑時，再將第一晶體提拉速度調(diào)整至第二晶體提拉速度，如此反復(fù)操作，直至將鍺熔體表面的臟料粘完。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于在鍺晶體生長過程中粘出臟料的方法，其特征在于，所述堝轉(zhuǎn)為1-2r/min，晶轉(zhuǎn)為1-2r/min，將籽晶降至鍺熔體液面上方10-15mm，烘烤10-20min。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于在鍺晶體生長過程中粘出臟料的方法，其特征在于，將籽晶插入至鍺熔體2-3mm，所述第一晶體提拉速度為0.1-0.2mm/min。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于在鍺晶體生長過程中粘出臟料的方法，其特征在于，所述引晶的長度為3-5mm，所述放肩角度呈120°-150°。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于在鍺晶體生長過程中粘出臟料的方法，其特征在于，所述目標(biāo)直徑為上保溫通道開口直徑。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于在鍺晶體生長過程中粘出臟料的方法，其特征在于，所述第二晶體提拉速度為1-2mm/s，所述臟料邊緣脫離熔體液面2-3mm。

7.根據(jù)權(quán)利要求1-6任一項所述的用于在鍺晶體生長過程中粘出臟料的方法，其特征在于，所述鍺晶體為低位錯鍺晶體或紅外鍺晶體。