[發明專利]半導體裝置

在審

• 申請號: 202010490048.0
• 申請日: 2020-06-02
• 公開（公告）號: CN112054019A
• 公開（公告）日: 2020-12-08
• 發明（設計）人: 田畑光晴
• 申請（專利權）人: 三菱電機株式會社
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L27/06;H01L29/739;H01L29/861;H02M7/487;H02M7/5387
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 何立波;張天舒

1.一種半導體裝置，其具有半導體芯片部，該半導體芯片部包含第1半導體芯片，該第1半導體芯片具有相對的第1主面及第2主面，在所述第1主面規定的第1元件區域形成有第1開關元件，在所述第1主面規定的第2元件區域形成有第1二極管元件，

所述第1開關元件包含：

第1發射極層，其形成于所述第1主面側；

第1集電極層，其形成于所述第2主面側；

第1柵極電極，其形成于所述第1主面側；以及

第1電極膜，其形成為與所述第1發射極層接觸，

所述第1二極管元件包含：

第1陽極層，其形成于所述第1主面側；

第1陰極層，其形成于所述第2主面側；以及

第2電極膜，其形成為與所述第1陽極層接觸，

所述第1開關元件的所述第1電極膜、所述第1二極管元件的所述第2電極膜隔開距離，

該半導體裝置具有配線導體，該配線導體包含將所述第1電極膜和所述第2電極膜電連接的部分，該配線導體具有阻抗。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，

所述第1電極膜和所述第2電極膜是以位于隔開所述距離的所述第1電極膜和所述第2電極膜之間的部分的圖案具有彎曲的部分的方式形成的。

3.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，

該半導體裝置具有保護環區域，該保護環區域是以包圍所述第1元件區域及所述第2元件區域的方式沿所述第1半導體芯片的外周形成的，

所述保護環區域包含各自沿第1方向延伸并且在與所述第1方向交叉的第2方向隔開距離而相對的第1外周部及第2外周部，

所述第1元件區域包含第1元件區域第1部分和第1元件區域第2部分，

在所述第1元件區域第1部分形成有作為所述第1開關元件的第1開關元件第1部分，

在所述第1元件區域第2部分形成有作為所述第1開關元件的第1開關元件第2部分，

所述第1開關元件第1部分包含作為所述第1電極膜的第1電極膜第1部分，

所述第1開關元件第2部分包含作為所述第1電極膜的第1電極膜第2部分，

所述第1電極膜第1部分配置為沿所述第1方向與所述第1外周部相對，

所述第1電極膜第2部分配置為沿所述第1方向與所述第2外周部相對，

在所述第1電極膜第1部分與所述第1電極膜第2部分之間配置有所述第2電極膜。

4.根據權利要求3所述的半導體裝置，其中，

如果將所述第1外周部的所述第1方向的長度設為第1長度，

將所述第1電極膜第1部分的所述第1方向的長度設為第2長度，

則所述第2長度設定為大于或等于所述第1長度的三分之二。

5.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，

該半導體裝置具有保護環區域，該保護環區域是以包圍所述第1元件區域及所述第2元件區域的方式沿所述第1半導體芯片的外周形成的，

所述保護環區域包含各自沿第1方向延伸并且在與所述第1方向交叉的第2方向隔開距離而相對的第1外周部及第2外周部，

所述第2元件區域包含第2元件區域第1部分和第2元件區域第2部分，

在所述第2元件區域第1部分形成有作為所述第1二極管元件的第1二極管元件第1部分，

在所述第2元件區域第2部分形成有作為所述第1二極管元件的第1二極管元件第2部分，

所述第1二極管元件第1部分包含作為所述第2電極膜的第2電極膜第1部分，

所述第1二極管元件第2部分包含作為所述第2電極膜的第2電極膜第2部分，

所述第2電極膜第1部分配置為沿所述第1方向與所述第1外周部相對，

所述第2電極膜第2部分配置為沿所述第1方向與所述第2外周部相對，

在所述第2電極膜第1部分和所述第2電極膜第2部分之間配置有所述第1電極膜。

6.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，

該半導體裝置具有保護環區域，該保護環區域是以包圍所述第1元件區域及所述第2元件區域的方式沿所述第1半導體芯片的外周形成的，

所述第2電極膜不與所述保護環區域相對，

所述第1電極膜與所述保護環區域相對。