[發明專利]SiC MOSFET監測電路及監測方法

在審

• 申請號: 202010483973.0
• 申請日: 2020-06-01
• 公開（公告）號: CN111624458A
• 公開（公告）日: 2020-09-04
• 發明（設計）人: 陳媛;賀致遠;陳義強;侯波;劉昌
• 申請（專利權）人: 中國電子產品可靠性與環境試驗研究所（（工業和信息化部電子第五研究所）（中國賽寶實驗室））
• 主分類號: G01R31/26
• 分類號: G01R31/26
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 繆成珠

1.一種SiC MOSFET監測電路，其特征在于，包括：

采樣模塊，用于采集所述SiC MOSFET柵極的電信號；

分析模塊，與所述采樣模塊連接，用于將所述電信號與預設閾值進行比較，并根據比較結果判斷所述SiC MOSFET是否老化失效。

2.根據權利要求1所述的SiC MOSFET監測電路，其特征在于，所述采樣模塊包括：

采樣電阻，與所述SiC MOSFET的柵極連接，用于采集所述SiC MOSFET的柵極泄漏電流；

差分放大器，與所述采樣電阻連接，用于感應并放大所述采樣電阻上的電壓降。

3.根據權利要求2所述的SiC MOSFET監測電路，其特征在于，所述差分放大器的帶寬不小于兩倍的所述SiC MOSFET的開關頻率。

4.根據權利要求2所述的SiC MOSFET監測電路，其特征在于，所述差分放大器的輸入偏置電流比所述SiC MOSFET的柵極泄漏電流小至少一個數量級；所述差分放大器的輸入失調電壓比所述采樣電阻上的最小閾值電壓小至少一個數量級。

5.根據權利要求2所述的SiC MOSFET監測電路，其特征在于，所述分析模塊包括：

比較器，與所述差分放大器連接，用于將所述電信號與預設閾值進行比較，并根據比較結果判斷所述SiC MOSFET是否老化失效。

6.根據權利要求5所述的SiC MOSFET監測電路，其特征在于，所述比較器在所述SiCMOSFET柵極的電信號大于預設閾值時輸出器件老化預警信號。

7.根據權利要求1所述的SiC MOSFET監測電路，其特征在于，所述SiC MOSFET監測電路還包括：

柵極驅動電源，與所述采樣模塊連接，用于向所述SiC MOSFET監測電路供電。

8.根據權利要求7所述的SiC MOSFET監測電路，其特征在于，所述柵極驅動電源為線性穩壓器。

9.一種SiC MOSFET監測方法，其特征在于，包括：

對SiC MOSFET進行老化試驗，將柵極泄漏電流確定為所述SiC MOSFET的退化敏感參數進行狀態監測；

對所述SiC MOSFET柵極的電信號進行采樣處理，并將采集結果與預設閾值進行對比；

若所述SiC MOSFET柵極的電信號大于預設閾值則判斷器件出現老化失效，并輸出器件老化預警信號。

10.根據權利要求9所述的SiC MOSFET監測方法，其特征在于，所述預設閾值根據所述SiC MOSFET的老化閾值確定。