[發明專利]高增益多電平DC/AC變流拓撲及方法

有效

• 申請號: 202010480503.9
• 申請日: 2020-05-30
• 公開（公告）號: CN111740624B
• 公開（公告）日: 2021-08-10
• 發明（設計）人: 王要強;王凱歌;王金鳳;王克文;梁軍;陳天錦
• 申請（專利權）人: 鄭州大學
• 主分類號: H02M7/483
• 分類號: H02M7/483;H02M7/5387
• 代理公司: 鄭州德勤知識產權代理有限公司 41128
• 代理人: 武亞楠;黃軍委

1.一種高增益多電平DC/AC變流拓撲，其特征在于：包括第一開關電容電路、第二開關電容電路、橋臂Ⅰ和橋臂Ⅱ；

所述第一開關電容電路包括開關管S₁、開關管S₂、開關管S₃、開關管S₄、開關管S₈和電解電容C₁；所述第二開關電容電路包括開關管S₅、開關管S₆、開關管S₇、開關管S₉、開關管S₁₀和電解電容C₂；所述橋臂Ⅰ包括開關管T₁和開關管T₂，所述橋臂Ⅱ包括開關管T₃和開關管T₄；其中，

所述開關管S₁的集電極分別與所述電解電容C₁的陽極和所述橋臂Ⅰ的開關管T₁的集電極相連接，所述開關管S₁的發射極分別與所述開關管S₂的集電極和所述開關管S₃的發射極相連接；所述開關管S₂的發射極分別與所述開關管S₄的集電極和所述開關管S₈的集電極相連接；所述開關管S₃的集電極與直流輸入電源的正極相連接；所述開關管S₄的發射極與所述直流輸入電源的負極相連接；所述開關管S₈的發射極分別與所述電解電容C₁的陰極和所述橋臂Ⅰ的開關管T₂的發射極相連接；

所述開關管S₅的集電極分別與所述直流輸入電源的正極和開關管S₃的集電極相連接，所述開關管S₅的發射極分別與所述開關管S₆的集電極、所述開關管S₇的發射極和所述開關管S₉的集電極相連接；所述開關管S₆的發射極與所述直流輸入電源的負極相連接；所述開關管S₇的集電極分別與所述電解電容C₂的陽極和所述橋臂Ⅱ的開關管T₃的集電極相連接；所述開關管S₉的發射極分別與所述開關管S₁₀的集電極、所述電解電容C₂的陰極和所述橋臂Ⅱ的開關管T₄的發射極相連接；所述開關管S₁₀的發射極與所述第一開關電容電路的開關管S₈的發射極相連接；

所述開關管T₁的集電極與所述第一開關電容電路的電解電容C₁的陽極相連接，所述開關管T₁的發射極與所述開關管T₂的集電極相連接；所述開關管T₂的發射極與所述電解電容C₁的陰極相連接；

所述開關管T₃的集電極與所述第二開關電容電路的電解電容C₂的陽極相連接，所述開關管T₃的發射極與所述開關管T₄的集電極相連接；所述開關管T₄的發射極與所述電解電容C₂的陰極相連接。

2.根據權利要求1所述的高增益多電平DC/AC變流拓撲，其特征在于：除開關管S₁₀外的開關管均為反向并聯有續流二極管的IGBT或MOSFET。