[發(fā)明專利]一種致密石英坩堝高純涂層的制備方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010476670.6 | 申請(qǐng)日: | 2020-05-29 |
| 公開(公告)號(hào): | CN111589678A | 公開(公告)日: | 2020-08-28 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 鄧亮亮;蘇成;邢夫龍;王海果;孫春浩;王榮光;王晨 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 徐州協(xié)鑫太陽能材料有限公司 |
| 主分類號(hào): | B05D7/00 | 分類號(hào): | B05D7/00;B05D7/24;C04B41/87 |
| 代理公司: | 北京淮海知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 32205 | 代理人: | 劉振祥 |
| 地址: | 221000 江蘇省徐*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 致密 石英 坩堝 高純 涂層 制備 方法 | ||
一種致密石英坩堝高純涂層的制備方法,包括以下方法:利用石英砂、硅溶膠、去離子水、陶瓷粘結(jié)劑制備致密層漿料;利用石英砂、硅溶膠、去離子水、陶瓷粘結(jié)劑制備疏松層漿料;利用石英砂、去離子水、降氧劑制備保護(hù)層漿料;對(duì)需要制備高純涂層的坩堝基體或者高純基體進(jìn)行表面潤濕處理;對(duì)于坩堝基體或者高純基體中硅液線以下的區(qū)域采用致密層漿料進(jìn)行致密層涂刷;對(duì)于坩堝基體或者高純基體中硅液線以下區(qū)域采用疏松層漿料進(jìn)行疏松層涂刷;烘干處理;對(duì)于坩堝基體或者高純基體中硅液線以下區(qū)域采用保護(hù)層漿料進(jìn)行保護(hù)層涂刷。該方法可以有效阻隔金屬雜質(zhì)侵入的情況發(fā)生,可以確保涂層與基體的牢固結(jié)合,并有利于促進(jìn)晶片轉(zhuǎn)化率的提高。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及坩堝加工領(lǐng)域,具體涉及一種致密石英坩堝高純涂層的制備方法。
背景技術(shù)
光伏行業(yè)中,單晶硅和多晶硅產(chǎn)品的競爭較為激烈,而多晶硅技術(shù)較單晶硅技術(shù)略有欠缺。隨著需求的增加,目前硅片尺寸逐漸增大至166mm,甚至達(dá)到了210mm,大尺寸硅片的生產(chǎn)對(duì)阻隔金屬雜質(zhì)侵入的高純涂層有了更高的要求。現(xiàn)有技術(shù)中,為了阻隔金屬雜質(zhì)的侵入,在坩堝內(nèi)表面對(duì)應(yīng)硅液線以下區(qū)域會(huì)涂刷一層高純石英涂層,這樣可以對(duì)降低金屬雜質(zhì)的引入有一定的幫助,但是由于硅片尺寸變大,硅錠截取邊皮變少,在實(shí)際使用過程中,金屬雜質(zhì)引入的風(fēng)險(xiǎn)明顯有增加趨勢(shì)。另外,在鑄錠過程中,坩堝側(cè)部高度收縮在1%~7%之間,坩堝側(cè)部的收縮下沉容易造成傳統(tǒng)高純涂層的開裂,并會(huì)進(jìn)一步造成硅液滲入涂層與坩堝之間,發(fā)生硅錠凹坑或粘堝現(xiàn)象。因而,傳統(tǒng)的涂刷一層高純石英涂層的方法已經(jīng)無法滿足阻隔金屬雜質(zhì)的需求。
發(fā)明內(nèi)容
針對(duì)上述現(xiàn)有技術(shù)存在的問題,本發(fā)明提供一種致密石英坩堝高純涂層的制備方法,該方法可以有效阻隔金屬雜質(zhì)侵入的情況發(fā)生,可以確保涂層與基體的牢固結(jié)合,并有利于促進(jìn)晶片轉(zhuǎn)化率的提高。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的,本發(fā)明提供一種致密石英坩堝高純涂層的制備方法,包括以下步驟:
步驟一:致密層漿料的制備;
稱取一定量的純度大于99.99%的高純石英砂,其中晶態(tài)石英砂重量占比10%~30%,加入去離子水,在球磨機(jī)中研磨,磨制成粒徑D50范圍為3~10μm,粒徑D90范圍為10~40μm的石英漿料;取出后再加入硅溶膠和陶瓷粘結(jié)劑置于攪拌機(jī)中進(jìn)行均勻攪拌;最后,對(duì)攪拌后的漿料進(jìn)行過濾處理,再放置于均化箱內(nèi)均化4小時(shí)以上,得到備用的致密層漿料;其中,石英砂:硅溶膠:去離子水:陶瓷粘結(jié)劑的重量配比比例為100:8~15:20~40:1~3;
步驟二:疏松層漿料的制備;
稱取一定量的純度大于99.99%的高純石英砂,其中晶態(tài)石英砂重量占比30%~50%,加入去離子水,在球磨機(jī)中研磨,磨制成粒徑D50范圍為10~30μm,粒徑D90范圍為60~140μm的石英漿料;取出后再加入硅溶膠和陶瓷粘結(jié)劑置于攪拌機(jī)中進(jìn)行均勻攪拌;最后,對(duì)攪拌后的漿料進(jìn)行過濾處理,再放置于均化箱內(nèi)均化4小時(shí)以上,得到備用的疏松層漿料;其中,石英砂:硅溶膠:去離子水:陶瓷粘結(jié)劑的重量配比比例為100:8~15:15~30:1~3;
步驟三:保護(hù)層漿料的制備;
稱取一定量的純度大于99.99%的高純石英砂,其中晶態(tài)石英砂重量占比30%~50%,加入去離子水,在球磨機(jī)中研磨,磨制成粒徑D50范圍為3~10μm,粒徑D90范圍為10~40μm的石英漿料;取出后再添加適量的降氧劑置于攪拌機(jī)中進(jìn)行均勻攪拌;最后,對(duì)攪拌后的漿料進(jìn)行過濾處理,再放置于均化箱內(nèi)均化4小時(shí)以上,得到備用的保護(hù)層漿料;其中,石英砂:去離子水:降氧劑的重量配比比例為100:30~50:15~30;
步驟四:基體表面處理;
對(duì)需要制備高純涂層的坩堝基體或者高純基體進(jìn)行表面潤濕處理;
步驟五:涂敷致密層;
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