[發明專利]半導體結構的形成方法

在審

• 申請號: 202010475964.7
• 申請日: 2020-05-29
• 公開（公告）號: CN112309981A
• 公開（公告）日: 2021-02-02
• 發明（設計）人: 江國誠;潘冠廷;林志昌;朱熙甯;王志豪
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/8234
• 分類號: H01L21/8234;H01L27/088
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 謝強;黃艷

1.一種半導體結構的形成方法，該半導體結構包括一半導體基板，其包括被一鰭片凹蝕區分離的多個鰭片，該方法包括：

利用一第一材料填充該鰭片凹蝕區，以形成一填充半導體結構；

于該填充半導體結構的一第一部分之上形成一頂層；

從該填充半導體結構的一第二部分蝕刻出一源極凹蝕區與一漏極凹蝕區；

從該源極凹蝕區與該漏極凹蝕區所露出的該第一部分的一前側與一后側側壁橫向地蝕刻一部分的該第一材料，以形成一前側與一后側側壁溝槽；

沉積一第二材料至該前側與該后側側壁溝槽之中；

于該源極凹蝕區中形成一源極區，且于該漏極凹蝕區中形成一漏極區；

移除該頂層，以露出該第一部分的一頂表面；

移除該第一材料，且部分地重新露出該鰭片凹蝕區；

沉積一柵極介電層，其順應于該部分地重新露出的鰭片凹蝕區的一表面；以及

沉積一導電材料至該鰭片凹蝕區的一剩余部分之中。