[發(fā)明專利]一種范德華介電材料及其制備方法和應(yīng)用

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010475921.9
• 申請日: 2020-05-29
• 公開（公告）號: CN111621746B
• 公開（公告）日: 2022-01-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 翟天佑;劉開朗;金寶;李會巧
• 申請（專利權(quán)）人: 華中科技大學(xué)
• 主分類號: C23C14/08
• 分類號: C23C14/08;C23C14/24;H01L29/51;H01L29/778
• 代理公司: 華中科技大學(xué)專利中心 42201
• 代理人: 李智;孔娜

1.一種范德華介電材料的應(yīng)用，其特征在于，包括如下步驟：

以無機(jī)分子晶體Sb₂O₃粉末作為蒸發(fā)源，采用熱蒸鍍的方法，將Sb₂O₃直接蒸鍍在MoS₂器件上，熱蒸鍍溫度為300℃～500℃，使無機(jī)分子晶體發(fā)生升華，同時(shí)保持其完整的分子結(jié)構(gòu)，從而得到與MoS₂器件結(jié)合的范德華薄膜，該范德華薄膜表面無懸掛鍵，將結(jié)合了范德華薄膜的MoS₂器件應(yīng)用于場效應(yīng)晶體管。

2.如權(quán)利要求1所述的范德華介電材料的應(yīng)用，其特征在于，進(jìn)行熱蒸鍍時(shí)，真空度為10^-6 torr。

3.如權(quán)利要求1所述的范德華介電材料的應(yīng)用，其特征在于，采用真空鍍膜機(jī)進(jìn)行熱蒸鍍，并用晶振片準(zhǔn)確控制蒸鍍速率。