[發明專利]功率器件的制作方法

在審

• 申請號: 202010475738.9
• 申請日: 2020-05-29
• 公開（公告）號: CN111540683A
• 公開（公告）日: 2020-08-14
• 發明（設計）人: 潘嘉;楊繼業;邢軍軍;黃璇
• 申請（專利權）人: 上海華虹宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L21/331
• 分類號: H01L21/331;H01L21/288;H01L29/739
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 羅雅文

1.一種功率器件的制作方法，其特征在于，所述方法包括：

在襯底上形成功率器件的單元結構，所述功率器件為IGBT；

形成正面金屬層；

對所述襯底的背面進行TAIKO減薄；

在所述襯底的背面形成集電區；

在所述襯底的背面覆膜；

利用化學鍍工藝在所述襯底的正面形成目標金屬；

去除貼附所述襯底背面的膜；

在所述襯底的背面形成金屬層。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，貼附在所述襯底背面的膜為耐高溫和耐強酸強堿材料。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述利用化學鍍工藝在所述襯底的正面形成目標金屬，包括：

利用化學鍍工藝在所述正面金屬層上鍍上所述目標金屬。

4.根據權利要求1或3所述的方法，其特征在于，所述目標金屬包括兩層，第一層目標金屬為鎳，第二層目標金屬為金。

5.根據權利要求1或3所述的方法，其特征在于，所述目標金屬包括三層，第一層目標金屬為鎳，第二層目標金屬為鈀，第三層目標金屬為金。

6.根據權利要求4或5所述的方法，其特征在于，在所述目標金屬層中，鎳的厚度范圍為0.5um至20um。

7.根據權利要求4或5所述的方法，其特征在于，在所述目標金屬層中，金的厚度范圍為500A至5000A。

8.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，在所述目標金屬層中，鈀的厚度范圍為500A至5000A。

9.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述在襯底中形成功率器件的單元結構，包括：

在所述襯底內形成所述IGBT的漂移區；

在所述漂移區內形成所述IGBT的基極區；

形成所述IGBT的柵極結構；

在所述IGBT的基極區內形成源區。