[發(fā)明專利]曝光裝置及其使用方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010473800.0
• 申請(qǐng)日: 2020-05-29
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN111596529A
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-08-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 羅驍霄;張忠寬;宋陽(yáng);扈映茹
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 成都天馬微電子有限公司
• 主分類號(hào): G03F7/20
• 分類號(hào): G03F7/20
• 代理公司: 北京晟睿智杰知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 11603
• 代理人: 于淼

1.一種曝光裝置，其特征在于，包括光源、掩膜版和光路補(bǔ)償單元，所述光路補(bǔ)償單元設(shè)置于所述掩膜版遠(yuǎn)離所述光源的一側(cè)，所述掩膜版上設(shè)置有掩膜圖案；

所述光路補(bǔ)償單元包括第一子補(bǔ)償單元和/或第二子補(bǔ)償單元，其中，所述第一子補(bǔ)償單元包括一具有中空結(jié)構(gòu)的密閉組件，所述中空結(jié)構(gòu)中設(shè)置有第一填充物，所述第一填充物用于改變所述密閉組件的壓強(qiáng)，并改變所述光路補(bǔ)償單元的折射率；

所述第二子補(bǔ)償單元包括一透光結(jié)構(gòu)，所述透光結(jié)構(gòu)靠近和/或遠(yuǎn)離所述掩膜版的一側(cè)表面設(shè)置有薄膜層，所述薄膜層和所述透光結(jié)構(gòu)用于改變所述光路補(bǔ)償單元的折射率。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的曝光裝置，其特征在于，所述密閉組件為一多面體結(jié)構(gòu)，所述多面體結(jié)構(gòu)至少包括相對(duì)設(shè)置的第一表面和第二表面；所述第一表面和所述第二表面平行設(shè)置，且所述第一表面和所述掩膜版所在的平面平行設(shè)置。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的曝光裝置，其特征在于，所述第一子補(bǔ)償單元包括若干具有獨(dú)立密閉空間的子中空結(jié)構(gòu)。

4.據(jù)權(quán)利要求3所述的曝光裝置，其特征在于，至少兩個(gè)所述子中空結(jié)構(gòu)對(duì)應(yīng)的所述第一子補(bǔ)償單元的所述折射率不同。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的曝光裝置，其特征在于，所述第一子補(bǔ)償單元還包括薄膜件，所述薄膜件設(shè)置于所述第一表面和所述第二表面之間，且所述薄膜件所在的平面與所述第一表面相交；所述薄膜件用于將所述第一子補(bǔ)償單元?jiǎng)澐譃槿舾删哂歇?dú)立密閉空間的所述子中空結(jié)構(gòu)。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的曝光裝置，其特征在于，所述薄膜件采用氟化鎂薄膜材料制作。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的曝光裝置，其特征在于，所述第一填充物包括氫氣或氬氣。

8.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的曝光裝置，其特征在于，所述光路補(bǔ)償單元還包括氣閥組件；任一所述子中空結(jié)構(gòu)均連接一所述氣閥組件。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的曝光裝置，其特征在于，所述氣閥組件至少包括一個(gè)進(jìn)排氣氣閥和一個(gè)氣壓計(jì)。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的曝光裝置，其特征在于，所述透光結(jié)構(gòu)為可形變玻璃體。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的曝光裝置，其特征在于，所述薄膜層采用氮化硅或二氧化硅材料制作。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的曝光裝置，其特征在于，所述薄膜層在所述掩膜版上的正投影與所述透光結(jié)構(gòu)在所述掩膜版上正投影至少部分交疊。

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的曝光裝置，其特征在于，所述薄膜層采用電可變材料制作。

14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的曝光裝置，其特征在于，所述光路補(bǔ)償單元同時(shí)包括所述第一子補(bǔ)償單元和所述第二子補(bǔ)償單元時(shí)，所述第一子補(bǔ)償單元設(shè)置于所述第二子補(bǔ)償單元靠近所述掩膜版的一側(cè)；或，所述第一子補(bǔ)償單元設(shè)置于所述第二子補(bǔ)償單元遠(yuǎn)離所述掩膜版的一側(cè)。

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的曝光裝置，其特征在于，所述第一子補(bǔ)償單元在所述掩膜版上的正投影與所述第二子補(bǔ)償單元在所述掩膜版上的正投影至少部分交疊。

16.一種曝光裝置的使用方法，其特征在于，所述曝光裝置的使用方法應(yīng)用于如權(quán)利要求1-15之任一項(xiàng)所述的曝光裝置；

所述曝光裝置用于在轉(zhuǎn)印基板上形成轉(zhuǎn)印圖形，所述轉(zhuǎn)印基板設(shè)置于光路補(bǔ)償單元遠(yuǎn)離掩膜版的一側(cè)；

所述方法包括：

打開(kāi)光源，使所述光源發(fā)出的光線經(jīng)所述掩膜版和光路補(bǔ)償單元；

所述光路補(bǔ)償單元使所述掩膜版的掩膜圖案在所述轉(zhuǎn)印基板上形成所述轉(zhuǎn)印圖形。

17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的曝光裝置的使用方法，其特征在于，當(dāng)光路補(bǔ)償單元包括第一子補(bǔ)償單元時(shí)，所述第一子補(bǔ)償單元的使用方法包括：

通過(guò)氣壓計(jì)檢測(cè)密閉組件中任一子中空結(jié)構(gòu)內(nèi)的第一壓強(qiáng)；

將所述第一壓強(qiáng)與預(yù)設(shè)壓強(qiáng)進(jìn)行比較；

若所述第一壓強(qiáng)大于所述預(yù)設(shè)壓強(qiáng)，則打開(kāi)進(jìn)排氣氣閥排出至少部分第一填充物，并再次通過(guò)所述氣壓計(jì)檢測(cè)任一所述子中空結(jié)構(gòu)內(nèi)的所述第一壓強(qiáng)；

若所述第一壓強(qiáng)小于所述預(yù)設(shè)壓強(qiáng)，則打開(kāi)進(jìn)排氣氣閥充入至少部分第一填充物，并再次通過(guò)所述氣壓計(jì)檢測(cè)任一所述子中空結(jié)構(gòu)內(nèi)的所述第一壓強(qiáng)；

若所述第一壓強(qiáng)等于所述預(yù)設(shè)壓強(qiáng)，則打開(kāi)所述曝光裝置開(kāi)始曝光。