[發明專利]一種散熱基板、功率模塊、功率器件及散熱基板加工方法

有效

• 申請號: 202010470275.7
• 申請日: 2020-05-28
• 公開（公告）號: CN111739852B
• 公開（公告）日: 2022-02-15
• 發明（設計）人: 楊寧;謝健興;王冠玉;張雪;袁毅凱
• 申請（專利權）人: 佛山市國星光電股份有限公司
• 主分類號: H01L23/367
• 分類號: H01L23/367;H01L23/473;H01L21/48;H01L23/31;H01L23/48;H01L25/07
• 代理公司: 廣東廣盈專利商標事務所(普通合伙) 44339
• 代理人: 李俊

1.一種散熱基板，其特征在于，包括第一導電表層、連接層和第二導電表層，所述第一導電表層和第二導電表層電性連通；

所述第一導電表層和所述第二導電表層分別貼合設置在所述連接層的兩個表面上；

所述第一導電表層和所述連接層之間設置有第一流道，所述第一流道具有至少一個第一流道口；以第一金屬薄片作為第一導電表層，并在所述第一金屬薄片上蝕刻出第一流道后，將所述第一金屬薄片設置有第一流道的側面燒結在連接層上；或在所述連接層表面基于金屬材料逐層生長的方式形成所述第一導電表層，在所述金屬材料逐層生長的過程中，每一層金屬材料在對應于所述第一流道的位置鏤空；

和/或所述第二導電表層和所述連接層之間設置有第二流道，所述第二流道具有至少一個第二流道口；以第二金屬薄片作為第二導電表層，并在所述第二金屬薄片上蝕刻出第二流道后，將所述第二金屬薄片設置有第二流道的側面燒結在連接層上；或在所述連接層表面基于金屬材料逐層生長的方式形成所述第二導電表層，在所述金屬材料逐層生長的過程中，每一層金屬材料在對應于所述第二流道的位置鏤空。

2.如權利要求1所述的散熱基板，其特征在于，所述連接層為絕緣層，所述第一導電表層和所述第二導電表層基于穿過所述連接層的電連接件或沉銅孔電性連通；

或所述連接層為導電層，所述第一導電表層和第二導電表層基于所述連接層電性連通。

3.如權利要求1所述的散熱基板，其特征在于，所述第一流道設置在所述第一導電表層上；和/或所述第二流道設置在所述第二導電表層上。

4.如權利要求1至3任一項所述的散熱基板，其特征在于，所述第一流道和第二流道基于若干個貫穿所述連接層的連接孔連通，所述第一流道和第二流道一共具有至少兩個流道口。

5.一種功率模塊，其特征在于，包括散熱基板、若干個功率芯片和封裝層；

所述散熱基板包括第一導電表層、連接層和第二導電表層，所述第一導電表層和第二導電表層電性連通；

所述第一導電表層和所述第二導電表層分別貼合設置在所述連接層的兩個表面上；

所述第一導電表層和所述連接層之間設置有第一流道，所述第一流道具有至少一個第一流道口；和/或所述第二導電表層和所述連接層之間設置有第二流道，所述第二流道具有至少一個第二流道口；

所述若干個功率芯片中的任一功率芯片包括設置在兩個相對表面上的若干個芯片引腳；

所述若干個功率芯片中的任一功率芯片上的其中一個引腳鍵合設置在所述散熱基板上；

所述封裝層基于封裝材料制成，所述封裝層將所述若干個功率芯片封裝在所述散熱基板上，所述若干個功率芯片中的任一功率芯片除鍵合設置在所述散熱基板上的引腳外的其余引腳從所述封裝層內部引出至所述封裝層表面。

6.如權利要求5所述的功率模塊，其特征在于，所述若干個功率芯片中至少部分功率芯片為二極管；

所述二極管的正極和負極分別設置在所述二極管的兩個相對的表面上；

所述二極管的正極鍵合設置在所述散熱基板上時，所述二極管的負極外露于所述封裝層；所述二極管的負極鍵合設置在所述散熱基板上時，所述二極管的正極外露于所述封裝層。

7.如權利要求5所述的功率模塊，其特征在于，所述若干個功率芯片中至少部分功率芯片為開關管，所述開關管的柵極和源極設置在所述開關管的一個表面上，所述開關管的漏極設置在所述開關管的另一個相對的表面上；

在所述開關管的漏極鍵合在所述散熱基板上時，所述開關管的柵極和源極外露于所述封裝層；

或在所述開關管的源極鍵合在所述散熱基板上時，所述開關管的漏極外露于所述封裝層，所述開關管的柵極基于一柵極連接件從所述封裝層內部引出至所述封裝層表面。

8.如權利要求5所述的功率模塊，其特征在于，所述散熱基板基于一基板連接件從所述封裝層內部引出至所述封裝層表面。