[發明專利]一種預防芯片焊盤裂紋的銅絲球焊方法在審
| 申請號: | 202010470010.7 | 申請日: | 2020-05-28 |
| 公開(公告)號: | CN111613543A | 公開(公告)日: | 2020-09-01 |
| 發明(設計)人: | 馮號;周少明 | 申請(專利權)人: | 西安微電子技術研究所 |
| 主分類號: | H01L21/60 | 分類號: | H01L21/60 |
| 代理公司: | 西安通大專利代理有限責任公司 61200 | 代理人: | 朱海臨 |
| 地址: | 710065 陜西*** | 國省代碼: | 陜西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 預防 芯片 裂紋 銅絲 球焊 方法 | ||
本發明提供一種預防芯片焊盤裂紋的銅絲球焊方法,所述方法包括如下步驟,步驟1,在框架載體或夾具的芯片區域外的剩余表面固定陶瓷片,得到銅焊球的焊點成型目標平面;步驟2,先將銅焊球移動到銅焊球的焊點成型目標平面的陶瓷面上,再將銅焊球在所述的陶瓷面上進行焊點成型過程,焊點成型完成后,底部被壓平的銅焊球離開陶瓷面的表面;步驟3,將底部被壓平的銅焊球轉移到焊盤上方進行界面鍵合過程,完成焊盤上的銅絲球焊。本發明將焊點成型段從焊盤鋁層表面移植到陶瓷表面,之后將銅焊球的焊點成型段與后續鍵合段從空間上實現分離,能夠提升銅焊球底面平整度,進而有利于降低焊點鍵合過程打裂焊盤的風險。
技術領域
本發明屬于半導體集成電路封裝測試領域,具體為一種預防芯片焊盤裂紋的銅絲球焊方法。
背景技術
銅絲球焊是半導體集成電路廣泛應用的一種引線鍵合工藝,相比金絲而言,銅絲具有成本低、機械強度高等優點,同時存在硬度大、易氧化等缺點,極容易在鍵合過程中造成芯片焊盤發生裂紋損傷,最終導致芯片失效。
為了降低芯片焊盤在銅絲球焊后發生裂紋損傷,目前銅絲球焊技術主要是采用分段鍵合的方式來控制,將鍵合過程分解為時間上連續的焊點成型段和界面鍵合段。焊點成型段通過壓力研磨、壓平焊球底部并成型焊點形貌,界面鍵合段施加超聲電流實現銅焊球底面與焊盤間的化學連接。焊點成型和界面鍵合均在同一焊盤的鋁層表面進行。
具體地,圖1為燒球環節,通過電子打火將劈刀尖端的一段線尾生成空氣自由球(Free Air Ball,簡稱FAB焊球),在氣流吹動線路的作用下,完成FAB燒球后焊球上移到劈刀口。圖2為鋁焊盤上焊點成型,FAB焊球接觸到焊盤鋁層后,受成型壓力等參數作用,焊球發生變形后成型焊點,因鋁層硬度相比銅焊球低,銅焊球底部壓平程度較差,且會存在一定鋁擠出;圖3為鋁焊盤上焊點鍵合,焊點成型后,焊球上施加較大的超聲電流,產生促進鍵合的超聲功率,促使焊球底面與焊盤鋁層間進行界面化學反應,生成圖中的黑色金屬間化合物,以實現IMC連接,進而實現界面結合。
但上述方式的不足之處在于:第一,在焊點成型壓力作用下,存在焊盤鋁擠出問題,致使銅焊球下方焊盤鋁層厚度減小,鋁層緩沖鍵合作用的能力減弱,鋁層下方介質層受鍵合作用的影響程度增加,焊盤打裂風險增大;第二,焊盤鋁層硬度低于銅焊球硬度,在焊點成型段中銅焊球底部的壓平效果較差,在后續界面鍵合段超聲電流作用下,打裂焊盤風險增大。
發明內容
針對現有技術中存在的問題,本發明提供一種預防芯片焊盤裂紋的銅絲球焊方法,銅焊球在陶瓷表面進行焊點成型,進而有利于降低之后焊點鍵合過程打裂焊盤的風險。
本發明是通過以下技術方案來實現:
一種預防芯片焊盤裂紋的銅絲球焊方法,包括如下步驟,
步驟1,在框架載體或夾具的芯片區域外的剩余表面固定陶瓷片,得到銅焊球的焊點成型目標平面;
步驟2,先將銅焊球移動到銅焊球的焊點成型目標平面的陶瓷面上,再將銅焊球在所述的陶瓷面上進行焊點成型過程,焊點成型完成后,底部被壓平的銅焊球離開陶瓷面的表面;
步驟3,將底部被壓平的銅焊球轉移到焊盤上方進行界面鍵合過程,完成焊盤上的銅絲球焊。
優選的,步驟1中,所述的陶瓷片粘接在框架載體表面,陶瓷片的上表面高于框架載體表面。
優選的,步驟1中,所述的陶瓷片鑲嵌在夾具上表面的凹槽中。
進一步,所述陶瓷片的上表面與夾具的上表面平齊。
優選的,步驟1中,將陶瓷片的表面處理成水平且清洗后固定在框架載體或夾具的表面。
優選的,步驟2通過燒球得到銅焊球,燒球電流為60~65mA、燒球時間為270~300us。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





