[發明專利]顯示基板、顯示器件及移動終端在審
| 申請號: | 202010468555.4 | 申請日: | 2020-05-28 |
| 公開(公告)號: | CN111613657A | 公開(公告)日: | 2020-09-01 |
| 發明(設計)人: | 陳彩琴 | 申請(專利權)人: | 維沃移動通信有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;G09G3/3225 |
| 代理公司: | 北京國昊天誠知識產權代理有限公司 11315 | 代理人: | 徐晨影;許振新 |
| 地址: | 523857 廣東省*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 器件 移動 終端 | ||
本發明公開了一種顯示基板、顯示器件及移動終端,以解決現有的OLED顯示器件存在顯示不均的問題。所述顯示基板包括:顯示區,設置有呈矩陣分布的多個像素單元和第一導電結構,所述第一導電結構包括呈面狀結構的第一金屬層和位于所述第一金屬層上平行排列的多條驅動信號線,所述第一金屬層覆蓋所述顯示區,所述第一金屬層構成各個所述像素單元的存儲電容的第一極,每一列所述像素單元連接一條所述驅動信號線,每條所述驅動信號線分別與所述第一金屬層連接,每列所述像素單元連接一條所述驅動信號線;非顯示區,設置有第二導電結構,驅動電源通過所述第二導電結構與所述驅動信號線連接。
技術領域
本發明涉及顯示技術領域,尤其涉及一種顯示基板、顯示器件及移動終端。
背景技術
隨著顯示技術的發展,OLED(Organic Light-Emitting Diode,有機發光二極管)顯示器件得到廣泛應用。現有的OLED顯示器件中,單個像素單元的驅動電路通常包括多個TFT(Thin Film Transistor,薄膜晶體管)開關和一個OLED(Organic Light-EmittingDiode,有機發光二極管),驅動電源輸出的驅動信號Vdd經多個TFT開關后驅動OLED發光。
如圖1所示,現有的一種OLED顯示器件的單個像素單元的驅動電路包括發光二極管D1、存儲電容C1、驅動管T1以及開關管T2至T7,該驅動電路的輸入信號包括發光EM信號、掃描信號Scan[n]和Scan[n-1]、初始復位信號Vi、數據信號Vdata以及驅動信號Vdd。其中,該驅動電路的各輸入信號的時序圖如圖2所示。在t1階段,開關管T4被Scan[n-1]信號選通打開,A點電位拉低至與Vi相等,此時存儲電容C1充電;在t2階段,開關管T2、T3和T7均被Scan[n]信號選通打開,驅動管T1的源極和漏極短接且A點電位|VA|>|Vth|,進而開關管T1打開,直到A點電位變成Vdata-|Vth|,OLED顯示器件復位;在t3階段,開關管T5和T6均被EM信號選通打開,此時,驅動管T1的柵源間電壓Vgs=Vdd-(Vdata-|Vth|),經過驅動管T1的源漏電流經過發光二極管D1,其中,Ids=(1/2)K[Vdd-(Vdata-|Vth|)-|Vth|]2=(1/2)K(Vdd-Vdata)2,K=CoxμW/L。此時,驅動信號Vdd依次經過開關管T5、驅動管T1以及開關管T6后使得發光二極管D1導通而發光,從Vdd到Vss形成電流回路(如圖1所示的虛線)。
然而,在t3階段,由于驅動信號Vdd的輸入路徑上各像素單元的驅動和路徑上存在阻抗,會使得輸入至不同位置處的像素單元的驅動信號Vdd大小存在差異,導致驅動信號Vdd的電壓傳輸路徑上存在壓降差異,進而造成各個像素單元的發光二極管D1的顯示亮度不一致,最終造成整個AMOLED顯示不均。
發明內容
本發明實施例提供一種顯示基板、顯示器件及移動終端,以解決現有的OLED顯示器件存在顯示不均的問題。
本發明實施例采用下述技術方案:
第一方面,提供了一種顯示基板,包括:
顯示區,設置有呈矩陣分布的多個像素單元和第一導電結構,所述第一導電結構包括呈面狀結構的第一金屬層和位于所述第一金屬層上平行排列的多條驅動信號線,所述第一金屬層覆蓋所述顯示區,所述第一金屬層構成各個所述像素單元的存儲電容的第一極,每一列所述像素單元連接一條所述驅動信號線,每條所述驅動信號線分別與所述第一金屬層連接;
非顯示區,設置有第二導電結構,驅動電源通過所述第二導電結構與所述驅動信號線連接。
第二方面,提供了一種顯示器件,包括驅動電源和第一方面所述的顯示基板。
第三方面,提供了一種移動終端,包括第二方面所述的顯示器件。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





