[發明專利]一種半導體集成電路器件及其制造方法

在審

• 申請號: 202010468385.X
• 申請日: 2020-05-28
• 公開（公告）號: CN111640864A
• 公開（公告）日: 2020-09-08
• 發明（設計）人: 王丹云;沈鼎瀛;邱泰瑋;康賜俊;劉宇
• 申請（專利權）人: 廈門半導體工業技術研發有限公司
• 主分類號: H01L45/00
• 分類號: H01L45/00
• 代理公司: 北京樂知新創知識產權代理事務所(普通合伙) 11734
• 代理人: 周偉

1.一種半導體集成電路器件，其特征在于，所述半導體集成電路器件包括：

第一電極；

阻變材料層，設置在非水平方向，所述阻變材料層的一側與所述第一電極的側壁連接，另一側與第二電極連接；

所述第二電極具有非水平方向的第一部分，其中，所述第一部分與所述阻變材料層的一側連接并與所述阻變材料層另一側連接的所述第一電極相對，以在水平方向形成導電細絲。

2.根據權利要求1所述的半導體集成電路器件，其特征在于，所述第二電極還具有水平方向的第二部分，所述第二部分與所述第一部分連接。

3.根據權利要求2所述的半導體集成電路器件，其特征在于，所述半導體集成電路器件還包括：

至少一個導電金屬，設置在所述第二電極的第二部分的上方，并與所述第二電極的第二部分連接。

4.根據權利要求1所述的半導體集成電路器件，其特征在于，第一電極和第二電極的材料包括鈦、鉭、鋁、氮化鈦或氮化鉭。

5.一種半導體集成電路器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

獲取一帶有金屬導線的底板；

在所述底板上形成第一電極，使所述第一電極的側壁暴露出來；

在所述第一電極的側壁形成阻變材料層，使所述阻變材料層的一側與所述第一電極的側壁連接；

在所述阻變材料層的另一側形成第二電極，使所述第二電極具有非水平方向的第一部分，其中，所述第一部分與所述阻變材料層的一側連接并與所述阻變材料層另一側連接的所述第一電極相對，以在水平方向形成導電細絲。

6.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，所述在所述底板上形成第一電極，包括：

在所述底板上沉積第一金屬層；

對所述金屬層進行蝕刻以形成第一電極，并使所述第一電極的側壁暴露出來。

7.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，所述在所述第一電極的側壁形成阻變材料層，包括：

在所述第一電極上沉積所述阻變材料層，使所述阻變材料層覆蓋在所述第一電極的側壁和上方。

8.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，在所述阻變材料層的另一側形成第二電極，包括：

在所述阻變材料層之上沉積第二金屬層；

對所述第二金屬層和所述阻變材料層進行蝕刻。

9.根據權利要求8所述的方法，其特征在于，在所述對所述第二金屬層和所述阻變材料層進行蝕刻之后，所述方法還包括：

采用化學機械拋光工藝磨去所述第一電極上方的部分阻變材料層以及位于所述部分阻變材料層上方的部分第二金屬層。

10.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，在所述在所述阻變材料層的另一側形成第二電極之后，所述方法還包括：

在所述第二電極上沉積超低介質層；

在所述超低介質層上進行刻孔得到至少一個孔洞，使所述第二電極暴露于所述孔洞底部；

在所述孔洞內制備導電金屬，使所述導電金屬與所述第二電極連接。