[發明專利]一種Ag2 在審
| 申請號： | 202010468221.7 | 申請日： | 2020-05-28 |
| 公開（公告）號： | CN111599875A | 公開（公告）日： | 2020-08-28 |
| 發明（設計）人： | 韓建華;劉志鋒;宋慶功;嚴慧羽;康建海;郭艷蕊 | 申請（專利權）人： | 中國民航大學 |
| 主分類號： | H01L31/0224 | 分類號： | H01L31/0224;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 天津才智專利商標代理有限公司 12108 | 代理人： | 龐學欣 |
| 地址： | 300300 天*** | 國省代碼： | 天津;12 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 ag base sub | ||
1.一種Ag2S-Sb2S3共敏化ZnO基光陽極的制備方法，其特征在于：所述的Ag2S-Sb2S3共敏化ZnO基光陽極的制備方法是首先在ITO導電玻璃表面生成ZnO納米結構陣列，然后基于連續離子層吸附反應法將上述生成有ZnO納米結構的ITO玻璃依次在Na2S水溶液、AgNO3水溶液、Na2S水溶液和SbCl3乙醇溶液中分多步進行反應，每一步反應后均需要將ITO導電玻璃進行清洗并用氮氣吹干后再進行下一步反應，重復上述反應過程若干次后在鼓風干燥箱中進行烘干，最終在ITO導電玻璃表面制成一層Ag2S-Sb2S3共敏化ZnO基光陽極。
2.根據權利要求1所述的Ag2S-Sb2S3共敏化ZnO基光陽極的制備方法，其特征在于：所述的ZnO納米結構包括納米棒、納米線和納米片。
3.根據權利要求1所述的Ag2S-Sb2S3共敏化ZnO基光陽極的制備方法，其特征在于：所述的Na2S水溶液的濃度為0.02-0.1M，反應溫度為25-35℃，反應時間為5-20min；AgNO3水溶液的濃度為0.01-0.05M，反應溫度為25-35℃，反應時間為2-10min；Na2S水溶液的濃度為0.02-0.1M，反應溫度為25-35℃，反應時間為5-20min；SbCl3乙醇溶液濃度為0.013-0.067M，反應溫度為25-35℃，反應時間為10-40min；每一步反應后的清洗是在相應的純溶劑中進行，包括去離子水或乙醇，清洗過程均在室溫下進行，清洗時間為20-120s。
4.根據權利要求1所述的Ag2S-Sb2S3共敏化ZnO基光陽極的制備方法，其特征在于：所述的反應次數為3-10次，Ag2S-Sb2S3共敏化ZnO基光陽極的敏化層厚度范圍在10-60nm之間。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于中國民航大學，未經中國民航大學許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/202010468221.7/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
- 一種Nd<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-Yb<sub>2</sub>O<sub>3</sub>改性的La<sub>2</sub>Zr<sub>2</sub>O<sub>7</sub>-(Zr<sub>0.92</sub>Y<sub>0.08</sub>)O<sub>1.96</sub>復相熱障涂層材料
- 無鉛[(Na<sub>0.57</sub>K<sub>0.43</sub>)<sub>0.94</sub>Li<sub>0.06</sub>][(Nb<sub>0.94</sub>Sb<sub>0.06</sub>)<sub>0.95</sub>Ta<sub>0.05</sub>]O<sub>3</sub>納米管及其制備方法
- 磁性材料HN(C<sub>2</sub>H<sub>5</sub>)<sub>3</sub>·[Co<sub>4</sub>Na<sub>3</sub>(heb)<sub>6</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>6</sub>]及合成方法
- 磁性材料[Co<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(hmb)<sub>4</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub>]·(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub> 及合成方法
- 一種Bi<sub>0.90</sub>Er<sub>0.10</sub>Fe<sub>0.96</sub>Co<sub>0.02</sub>Mn<sub>0.02</sub>O<sub>3</sub>/Mn<sub>1-x</sub>Co<sub>x</sub>Fe<sub>2</sub>O<sub>4</sub> 復合膜及其制備方法
- Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-TeO<sub>2</sub>-SiO<sub>2</sub>-WO<sub>3</sub>系玻璃
- 熒光材料[Cu<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(mtyp)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>COO)<sub>2</sub>(H<sub>2</sub>O)<sub>3</sub>]<sub>n</sub>及合成方法
- 一種(Y<sub>1</sub>-<sub>x</sub>Ln<sub>x</sub>)<sub>2</sub>(MoO<sub>4</sub>)<sub>3</sub>薄膜的直接制備方法
- 熒光材料(CH<sub>2</sub>NH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>ZnI<sub>4</sub>
- Li<sub>1.2</sub>Ni<sub>0.13</sub>Co<sub>0.13</sub>Mn<sub>0.54</sub>O<sub>2</sub>/Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>復合材料的制備方法
