[發(fā)明專利]保護(hù)膜形成用復(fù)合片、及帶保護(hù)膜的半導(dǎo)體芯片的制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010468045.7
• 申請(qǐng)日: 2020-05-28
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN112111236B
• 公開(kāi)（公告）日: 2023-10-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 米山裕之;山本大輔;古野健太
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 琳得科株式會(huì)社
• 主分類號(hào): C09J7/24
• 分類號(hào): C09J7/24;C09J7/25;C09J133/08;H01L21/67;H01L21/683;H01L21/78
• 代理公司: 北京路浩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11002
• 代理人: 張晶;謝順星

1.一種保護(hù)膜形成用復(fù)合片，其貼附在半導(dǎo)體晶圓的背面，并用于在所述背面上形成保護(hù)膜，其中，

所述保護(hù)膜形成用復(fù)合片具備防污片、與形成在所述防污片的一個(gè)面上的保護(hù)膜形成用膜，

所述保護(hù)膜形成用膜能夠形成所述保護(hù)膜，

所述保護(hù)膜形成用復(fù)合片在平行于其對(duì)所述半導(dǎo)體晶圓的貼附面的方向上的寬度的最大值為155～194mm、205～250mm、305～350mm或455～500mm，

制作寬度為15mm的所述防污片的試驗(yàn)片，在18～28℃的溫度條件下，將初始的夾頭間隔設(shè)為100mm，并以200mm/分鐘的速度，沿平行于所述試驗(yàn)片的表面的方向，拉伸所述試驗(yàn)片，從而進(jìn)行拉伸試驗(yàn)，此時(shí)，所述試驗(yàn)片能夠伸長(zhǎng)15％以上，且所述試驗(yàn)片在伸長(zhǎng)10％時(shí)的拉伸強(qiáng)度為4.0N/15mm以上。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的保護(hù)膜形成用復(fù)合片，其中，所述防污片用于防止在使用所述保護(hù)膜形成用復(fù)合片時(shí)，目標(biāo)外的異物附著在貼附在所述半導(dǎo)體晶圓的背面上的所述保護(hù)膜形成用膜上。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的保護(hù)膜形成用復(fù)合片，其中，所述防污片的透射清晰度為100以上。

4.一種帶保護(hù)膜的半導(dǎo)體芯片的制造方法，所述帶保護(hù)膜的半導(dǎo)體芯片具備半導(dǎo)體芯片、與設(shè)置在所述半導(dǎo)體芯片的背面上的保護(hù)膜，其中，

所述保護(hù)膜由權(quán)利要求1～3中任一項(xiàng)所述的保護(hù)膜形成用復(fù)合片中的保護(hù)膜形成用膜形成，

當(dāng)所述保護(hù)膜形成用膜為固化性時(shí)，所述保護(hù)膜形成用膜的固化物為保護(hù)膜，當(dāng)所述保護(hù)膜形成用膜為非固化性時(shí)，貼附在被分割為所述半導(dǎo)體芯片前的半導(dǎo)體晶圓的背面上后的所述保護(hù)膜形成用膜為保護(hù)膜，

所述帶保護(hù)膜的半導(dǎo)體芯片的制造方法具有以下工序：

第一貼附工序，其中，一邊沿平行于所述保護(hù)膜形成用復(fù)合片對(duì)所述半導(dǎo)體晶圓的貼附面的方向，拉伸所述保護(hù)膜形成用復(fù)合片，一邊將所述保護(hù)膜形成用復(fù)合片中的保護(hù)膜形成用膜貼附在大小小于所述保護(hù)膜形成用膜的所述半導(dǎo)體晶圓的背面的整個(gè)面上，由此制作在所述半導(dǎo)體晶圓的背面上設(shè)有所述保護(hù)膜形成用復(fù)合片的第一層疊體；

第一切斷工序，其中，沿著所述半導(dǎo)體晶圓的外周切斷所述第一層疊體中的所述保護(hù)膜形成用復(fù)合片，由此制作在所述半導(dǎo)體晶圓的背面上設(shè)有切斷后的所述保護(hù)膜形成用復(fù)合片的第二層疊體；

對(duì)所述第二層疊體進(jìn)行處理的處理工序；

第二貼附工序，其中，在所述處理工序后，在處理后的所述第二層疊體中的防污片的、與所述保護(hù)膜形成用膜或保護(hù)膜一側(cè)為相反側(cè)的面上貼附粘著片；

分割工序，其中，在所述第二貼附工序后，分割所述半導(dǎo)體晶圓，由此制作半導(dǎo)體芯片；

第二切斷工序，其中，在所述第二貼附工序后，切斷所述保護(hù)膜形成用膜或保護(hù)膜；以及

拾取工序，其中，將具備所述切斷后的保護(hù)膜形成用膜或保護(hù)膜的所述半導(dǎo)體芯片從包含所述防污片及粘著片的層疊片上分離、并拾取，

在所述第一貼附工序中，相對(duì)于所述半導(dǎo)體晶圓在平行于其與所述保護(hù)膜形成用復(fù)合片的貼附面的方向上的寬度的最大值，將所述保護(hù)膜形成用復(fù)合片在平行于其對(duì)所述半導(dǎo)體晶圓的貼附面的方向上的寬度的最大值設(shè)為101.1～129.3％，

當(dāng)所述保護(hù)膜形成用膜為固化性時(shí)，在所述處理工序后進(jìn)一步具有：使所述保護(hù)膜形成用膜固化從而形成保護(hù)膜的固化工序。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的帶保護(hù)膜的半導(dǎo)體芯片的制造方法，其中，所述處理工序?yàn)橥ㄟ^(guò)對(duì)所述第二層疊體中的保護(hù)膜形成用膜照射激光而進(jìn)行印字的印字工序。