[發明專利]一種OLED顯示結構及制作方法

在審

• 申請號: 202010467244.6
• 申請日: 2020-05-28
• 公開（公告）號: CN111653521A
• 公開（公告）日: 2020-09-11
• 發明（設計）人: 劉振東;阮桑桑;劉漢龍;郭智宇;王強;鄭聰秀;鐘慧萍
• 申請（專利權）人: 福建華佳彩有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L27/32;G06F3/041
• 代理公司: 福州市景弘專利代理事務所(普通合伙) 35219
• 代理人: 徐劍兵;林祥翔

1.一種OLED顯示結構制作方法，其特征在于，包括如下步驟：

沉積第一金屬層并蝕刻，在基板上的一側形成柵極金屬，在基板上的另一側形成觸控電極；

制作第一絕緣層，并在觸控電極區域上的第一絕緣層上制作連通觸控電極的孔；

制作半導體層，半導體層位于柵極金屬區域上方；

沉積第二金屬層并蝕刻，在半導體層上形成源極金屬和漏極金屬，在觸控電極區域上形成觸控信號線，觸控信號線通過第一絕緣層上的孔與觸控電極連接；

制作像素膜層，像素膜層與源極金屬或者漏極金屬連接，像素膜層、源極金屬、漏極金屬、觸控信號線、半導體層、第一絕緣層、觸控電極和柵極金屬組成子像素。

2.根據權利要求1所述的一種OLED顯示結構制作方法，其特征在于，子像素為多個，多個的子像素按行列排列，組成觸控區塊；

每個觸控區塊中位于同一行的子像素的觸控電極通過觸控電極連線相連接，每個觸控區塊中位于同一列的子像素的觸控信號線互相連接。

3.根據權利要求2所述的一種OLED顯示結構制作方法，其特征在于，所述觸控區塊為多個，一個觸控區塊中的觸控信號線向該觸控區塊的一側延伸并穿過同一列其他的觸控區塊且與其他觸控區塊的觸控電極間隔有所述第一絕緣層，延伸的觸控信號線用于連接外部器件，相鄰行的觸控區塊延伸的觸控信號線間隔一個子像素或者多個子像素。

4.根據權利要求3所述的一種OLED顯示結構制作方法，其特征在于，一個觸控區塊中的觸控信號線還向該觸控區塊的另一側延伸并穿過同一列其他的觸控區塊且與其他觸控區塊的觸控電極間隔有所述第一絕緣層。

5.根據權利要求1所述的一種OLED顯示結構制作方法，其特征在于，像素膜層的制作包括如下步驟：

制作第二絕緣層，在源極金屬區域的第二絕緣層上制作連通源極金屬的過孔或者在漏極金屬區域的第二絕緣層上制作連通漏極金屬的過孔；

制作有機平坦層，并在有機平坦層上位于第二絕緣層上的過孔處蝕刻出過孔，有機平坦層上的過孔的底部為源極金屬或者漏極金屬；

制作陽極，陽極通過有機平坦層上的過孔連接源極金屬或者漏極金屬；

制作第三絕緣層，并在第三絕緣層上制作連通陽極的過孔；

在第三絕緣層上連通陽極的過孔處制作OLED發光層；

制作陰極，陰極覆蓋OLED發光層。

6.一種OLED顯示結構，其特征在于，包括：

在基板上的一側設置有柵極金屬，在基板上的另一側設置有觸控電極；

在柵極金屬和觸控電極上設置有第一絕緣層，在觸控電極區域上的第一絕緣層上設置有連通觸控電極的孔；

在柵極金屬區域上的第一絕緣層上設置有半導體層；

在半導體層上設置有源極金屬和漏極金屬，在觸控電極區域上設置有觸控信號線，觸控信號線通過第一絕緣層上的孔與觸控電極連接；

在第二金屬層和觸控信號線上設置有像素膜層，像素膜層與源極金屬或者漏極金屬連接，像素膜層、源極金屬、漏極金屬、觸控信號線、半導體層、第一絕緣層、觸控電極和柵極金屬組成子像素。

7.根據權利要求6所述的一種OLED顯示結構，其特征在于，子像素為多個，多個的子像素按行列排列，組成觸控區塊；

每個觸控區塊中位于同一行的子像素的觸控電極通過觸控電極連線相連接，每個觸控區塊中位于同一列的子像素的觸控信號線互相連接。

8.根據權利要求7所述的一種OLED顯示結構，其特征在于，所述觸控區塊為多個，一個觸控區塊中的觸控信號線向該觸控區塊的一側延伸并穿過同一列其他的觸控區塊且與其他觸控區塊的觸控電極間隔有所述第一絕緣層，延伸的觸控信號線用于連接外部器件，相鄰行的觸控區塊延伸的觸控信號線間隔一個子像素或者多個子像素。

9.根據權利要求8所述的一種OLED顯示結構，其特征在于，一個觸控區塊中的觸控信號線還向該觸控區塊的另一側延伸并穿過同一列其他的觸控區塊且與其他觸控區塊的觸控電極間隔有所述第一絕緣層。

10.根據權利要求6所述的一種OLED顯示結構，其特征在于，所述像素膜層包括：

在源極金屬、漏極金屬上設置有第二絕緣層；

在第二絕緣層上設置有有機平坦層，有機平坦層上設置有孔，孔貫穿有機平坦層與第二絕緣層，有機平坦層上的過孔的底部為源極金屬或者漏極金屬；

在有機平坦層上的過孔處設置有陽極，陽極連接源極金屬或者漏極金屬；

在陽極上設置有第三絕緣層，第三絕緣層上設置有連通陽極的過孔；

在第三絕緣層上連通陽極的過孔處設置有OLED發光層；

在OLED發光層上設置有陰極。