[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件及其制造方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010467028.1
• 申請(qǐng)日: 2020-05-28
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN112054021A
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-12-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: R·魏斯;R·克諾夫勒
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 英飛凌科技德累斯頓公司
• 主分類號(hào): H01L27/06
• 分類號(hào): H01L27/06;H01L21/822;H01L29/06;H01L29/78;H01L29/808
• 代理公司: 永新專利商標(biāo)代理有限公司 72002
• 代理人: 劉炳勝

1.一種半導(dǎo)體器件，包括：

層堆疊體，所述層堆疊體具有第一摻雜類型的多個(gè)第一半導(dǎo)體層(110)和與所述第一摻雜類型互補(bǔ)的第二摻雜類型的多個(gè)第二半導(dǎo)體層(120)，其中，所述第一半導(dǎo)體層(110)和所述第二半導(dǎo)體層(120)交替布置在所述層堆疊體的第一表面(101)和第二表面(102)之間；

第一半導(dǎo)體器件(M1)的第一半導(dǎo)體區(qū)(15)，所述第一半導(dǎo)體器件(M1)的所述第一半導(dǎo)體區(qū)(15)與所述多個(gè)第一半導(dǎo)體層(110)毗連；

所述第一半導(dǎo)體器件(M1)的至少一個(gè)第二半導(dǎo)體區(qū)(14)，其中，所述至少一個(gè)第二半導(dǎo)體區(qū)(14)中的每者與所述多個(gè)第二半導(dǎo)體層(120)的至少其中之一毗連，并且與所述第一半導(dǎo)體區(qū)(15)間隔開(kāi)；以及

至少一個(gè)阻擋層(40)，所述至少一個(gè)阻擋層(40)被配置為形成擴(kuò)散阻擋部，其中，所述至少一個(gè)阻擋層(40)中的每者被布置為平行于所述第一表面(101)以及平行于所述第二表面(102)，并且與所述第一半導(dǎo)體層(110)之一相鄰或者與所述第二半導(dǎo)體層(120)之一相鄰，或與所述第一半導(dǎo)體層(110)之一和所述第二半導(dǎo)體層(120)之一這兩者相鄰。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述至少一個(gè)阻擋層(40)中的每者是：

包括半導(dǎo)體材料以及注入到所述半導(dǎo)體材料中的多個(gè)外來(lái)原子的未摻雜半導(dǎo)體層；或者

非半導(dǎo)體層。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，其中，滿足下述各項(xiàng)的至少其中之一：

所述半導(dǎo)體材料包括硅；以及

所述外來(lái)原子或所述非半導(dǎo)體層包括氧、氮、碳、氟和碳氧的至少其中之一。

4.根據(jù)權(quán)利要求1到3中的任何一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件，其中，

所述多個(gè)第一半導(dǎo)體層(110)中的每者在垂直方向(z)上的厚度(d₁₁₀)處于100nm和5μm之間，其中，所述垂直方向(z)垂直于所述第一表面(101)；

所述多個(gè)第二半導(dǎo)體層(120)中的每者在所述垂直方向(z)上的厚度(d₁₂₀)處于100nm和5μm之間；并且

所述至少一個(gè)阻擋層(40)中的每者在所述垂直方向(z)上的厚度(d₄₀)處于1nm和100nm之間。

5.根據(jù)前述權(quán)利要求之一所述的半導(dǎo)體器件，其中，

所述至少一個(gè)阻擋層(40)之一被布置為與所述第一表面(101)相鄰；或者

所述至少一個(gè)阻擋層(40)之一被布置為與所述第二表面(102)相鄰；

或者所述至少一個(gè)阻擋層(40)之一被布置為與所述第一表面(101)和所述第二表面(102)這兩者相鄰。

6.根據(jù)前述權(quán)利要求之一所述的半導(dǎo)體器件，其中，阻擋層(40)布置在所述多個(gè)第一半導(dǎo)體層(110)中的每者和其鄰接的第二半導(dǎo)體層(120)中的每者之間。

7.根據(jù)前述權(quán)利要求之一所述的半導(dǎo)體器件，還包括第三半導(dǎo)體層(130)，所述第三半導(dǎo)體層(130)與所述層堆疊體(110、120)、以及所述第一半導(dǎo)體區(qū)(15)和所述至少一個(gè)第二半導(dǎo)體區(qū)(14)中的每者毗連，其中，所述第三半導(dǎo)體層(130)包括在第一方向(x)上布置在所述第一半導(dǎo)體區(qū)(15)和所述至少一個(gè)第二半導(dǎo)體區(qū)(14)之間的第一區(qū)(131)。