[發明專利]一種高諧振頻率的大孔徑振鏡及制備方法在審
| 申請號： | 202010466898.7 | 申請日： | 2020-05-28 |
| 公開（公告）號： | CN111573614A | 公開（公告）日： | 2020-08-25 |
| 發明（設計）人： | 左輝;賀思源 | 申請（專利權）人： | 賀思源;左輝 |
| 主分類號： | B81B5/00 | 分類號： | B81B5/00;B81B7/02;B81C1/00;G02B26/08 |
| 代理公司： | 北京匯信合知識產權代理有限公司 11335 | 代理人： | 林聰源 |
| 地址： | 加拿大安大略*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 諧振 頻率 孔徑 制備 方法 | ||
1.一種高諧振頻率的大孔徑振鏡，其特征在于，包括：FPCB、粘貼在FPCB正面的硅層以及設置在FPCB兩側的外部磁鐵；
所述FPCB包括中間座和外部的聚酰亞胺加強框，所述中間座與聚酰亞胺加強框通過聚酰亞胺扭轉梁相連，所述中間座的正面和背面設有頂層銅線圈和底層銅線圈。
2.如權利要求1所述的大孔徑振鏡，其特征在于，所述中間座、聚酰亞胺加強框、聚酰亞胺扭轉梁為一體式柔性結構，所述柔性結構由上下相粘貼的聚酰亞胺加強層和聚酰亞胺基層組成。
3.如權利要求2所述的大孔徑振鏡，其特征在于，所述頂層銅線圈或底層銅線圈外設有聚酰亞胺覆蓋層。
4.如權利要求1所述的大孔徑振鏡，其特征在于，所述硅層的厚度為50～200μm，所述硅層的一側與所述FPCB相粘貼、另一側設有金屬鍍層。
5.如權利要求1所述的大孔徑振鏡，其特征在于，所述FPCB的銅線圈中通入電流，在所述外部磁鐵磁場的作用下，產生驅動振鏡振動的洛倫茲力。
6.一種如權利要求1～5中任一項所述的高諧振頻率的大孔徑振鏡的制備方法，其特征在于，包括：
在硅晶片的正面設有金屬鍍層；
將硅晶片的金屬鍍層側朝下，附著在承載晶片；
將FPCB的正面朝下，粘貼在硅晶片的非金屬鍍層側；
以FPCB為掩膜、金屬鍍層為停止層，一步蝕刻硅晶片，得到高諧振頻率的大孔徑振鏡。
7.如權利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述承載晶片的厚度為500μm，所述硅晶片與承載晶片之間設有附著油。
8.如權利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述蝕刻方法為DRIE蝕刻。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于賀思源;左輝，未經賀思源;左輝許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/202010466898.7/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
