[發(fā)明專利]形成半導(dǎo)體器件的方法以及系統(tǒng)在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010466810.1 | 申請(qǐng)日: | 2020-05-28 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN112233984A | 公開(kāi)(公告)日: | 2021-01-15 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 凡卡塔·史瑞帕西·沙珊卡·普雷塔帕;陳俊宏;鄭文豪 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/50 | 分類號(hào): | H01L21/50;H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京德恒律治知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;李偉 |
| 地址: | 中國(guó)臺(tái)*** | 國(guó)省代碼: | 臺(tái)灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 形成 半導(dǎo)體器件 方法 以及 系統(tǒng) | ||
1.一種形成半導(dǎo)體器件的方法,包括:
接收形成在晶圓的表面上的多個(gè)部件的第一布局?jǐn)?shù)據(jù),所述表面包括在第一劃分層級(jí)下的多個(gè)格柵區(qū)域;
確定在所述第一劃分層級(jí)下的所述多個(gè)格柵區(qū)域中的每個(gè)的初始圖案密度值;
通過(guò)調(diào)整所述多個(gè)格柵區(qū)域中的第一格柵區(qū)域的初始圖案密度值來(lái)獲取所述第一格柵區(qū)域的計(jì)劃圖案密度值,所述第一格柵區(qū)域的所述初始圖案密度值基于所述第一劃分層級(jí)下的所述多個(gè)格柵區(qū)域中的第二格柵區(qū)域的初始圖案密度值;
基于所述計(jì)劃圖案密度值來(lái)確定所述第一格柵區(qū)域的第二布局?jǐn)?shù)據(jù);以及
至少部分地基于所述第一格柵區(qū)域的所述第二布局?jǐn)?shù)據(jù)在所述晶圓的所述表面上形成所述多個(gè)部件。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中,基于所述第一布局?jǐn)?shù)據(jù)來(lái)確定所述初始圖案密度值。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法,其中,基于關(guān)于所述第一格柵區(qū)域和與所述第一格柵區(qū)域相鄰的外圍區(qū)域的所述第一布局?jǐn)?shù)據(jù)來(lái)確定所述初始圖案密度值。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中,基于第二劃分層級(jí)下的第三格柵區(qū)域的圖案密度值來(lái)確定所述初始圖案密度值,并且所述第三格柵區(qū)域與所述第一格柵區(qū)域重疊。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法,其中,所述第三格柵區(qū)域包含所述第一格柵區(qū)域。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法,其中,所述第三格柵區(qū)域包含在所述第一格柵區(qū)域中。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中,基于所述計(jì)劃圖案密度值來(lái)確定所述第一格柵區(qū)域的所述第二布局?jǐn)?shù)據(jù)包括:確定所述第一格柵區(qū)域中的部件的表面面積。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中,獲取所述多個(gè)格柵區(qū)域中的所述第一格柵區(qū)域的所述計(jì)劃圖案密度值還包括:將部件添加到所述第一格柵區(qū)域中。
9.一種形成半導(dǎo)體器件的系統(tǒng),包括:
晶圓處理工具,配置為在晶圓表面上形成多個(gè)連接部件;
數(shù)據(jù)庫(kù),配置為存儲(chǔ)所述多個(gè)連接部件的設(shè)計(jì)數(shù)據(jù);以及
基于處理器的控制器,可操作的控制所述晶圓處理工具以在所述晶圓表面上形成所述多個(gè)連接部件,包括以下動(dòng)作:
在第一劃分層級(jí)下將所述晶圓表面劃分為第一多個(gè)格柵區(qū)域;
確定所述第一多個(gè)格柵區(qū)域中的第一格柵區(qū)域的第一圖案密度值;
基于所述第一多個(gè)格柵區(qū)域中的第二格柵區(qū)域的第二圖案密度值來(lái)調(diào)整所述第一格柵區(qū)域的所述第一圖案密度值;
基于調(diào)整后的所述第一格柵區(qū)域的所述第一圖案密度值來(lái)確定所述第一格柵區(qū)域的布局?jǐn)?shù)據(jù);和
至少部分地基于所述第一格柵區(qū)域的所述布局?jǐn)?shù)據(jù)來(lái)控制所述晶圓處理工具,以在所述晶圓的所述表面上形成所述多個(gè)連接部件。
10.一種形成半導(dǎo)體器件的方法,包括:
接收形成在第一襯底的表面上的多個(gè)離散導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的第一布局?jǐn)?shù)據(jù),所述多個(gè)離散導(dǎo)電結(jié)構(gòu)包括形成在所述表面上的第一格柵區(qū)域中的第一離散導(dǎo)電結(jié)構(gòu);
確定所述第一格柵區(qū)域的圖案密度值;
確定所述第一離散導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的高度值;
基于所述第一離散導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的所述高度值來(lái)調(diào)整所述第一格柵區(qū)域的所述圖案密度值;
基于調(diào)整后的圖案密度值來(lái)確定所述第一格柵區(qū)域的布局;以及
至少部分地基于所述第一格柵區(qū)域的所述布局在所述表面上形成所述多個(gè)離散導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。
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- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門(mén)適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門(mén)適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門(mén)適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門(mén)適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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- 凈水濾芯以及凈水裝置、以及洗漱臺(tái)
- 隱匿檢索系統(tǒng)以及公開(kāi)參數(shù)生成裝置以及加密裝置以及用戶秘密密鑰生成裝置以及查詢發(fā)布裝置以及檢索裝置以及計(jì)算機(jī)程序以及隱匿檢索方法以及公開(kāi)參數(shù)生成方法以及加密方法以及用戶秘密密鑰生成方法以及查詢發(fā)布方法以及檢索方法
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