[發(fā)明專利]使用帶電粒子顯微鏡檢查樣品的方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010466370.X
• 申請(qǐng)日: 2020-05-28
• 公開（公告）號(hào): CN112098440A
• 公開（公告）日: 2020-12-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: J.克盧薩切克;T.圖瑪;J.彼得雷克
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: FEI公司
• 主分類號(hào): G01N23/04
• 分類號(hào): G01N23/04;G01N23/046;G01N23/20;G01N23/203;G01N23/22;H01J37/20;H01J37/244;H01J37/28
• 代理公司: 中國(guó)專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 張凌苗;陳嵐

1.一種使用帶電粒子顯微鏡檢查樣品的方法，其包含：

提供帶電粒子射束以及樣品；

在多個(gè)樣品位置處使所述帶電粒子射束在所述樣品上掃描；

響應(yīng)于在所述多個(gè)樣品位置上掃描的所述射束，使用第一檢測(cè)器檢測(cè)來(lái)自所述樣品的第一類型的發(fā)射；

使用檢測(cè)到的所述第一類型的發(fā)射的光譜信息，在所述多個(gè)樣品位置處將多個(gè)相互不同的相位分配給所述樣品；

由控制單元提供所述樣品的數(shù)據(jù)表示，所述數(shù)據(jù)表示至少含有關(guān)于所述多個(gè)樣品位置和所述相位的信息；

其特征在于所述方法包含以下步驟：

使用與至少一個(gè)先前分配的相位及其相應(yīng)的樣品位置有關(guān)的信息，為所述多個(gè)樣品位置中的至少另一個(gè)樣品位置建立估計(jì)相位；和

將所述估計(jì)相位分配給所述另外的樣品位置。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其包含將相位與測(cè)量和/或預(yù)期的所述第一類型的發(fā)射相關(guān)聯(lián)的步驟。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其中所述建立步驟包含使用機(jī)器學(xué)習(xí)估計(jì)器。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中所述機(jī)器學(xué)習(xí)估計(jì)器包含選自包含以下的組的一個(gè)或多個(gè)估計(jì)器：非負(fù)矩陣分解（NMF）、奇異值分解（SVD）、獨(dú)立分量分析（ICA）、潛在狄利克雷分配（LDA）和K-均值。

5.根據(jù)權(quán)利要求1至4所述的方法，其中測(cè)量樣品位置的數(shù)量和估計(jì)樣品位置的數(shù)量之間的比率在10:1至1:10范圍內(nèi)，特別是其中所述比率在1:2至1:10范圍內(nèi)。

6.根據(jù)權(quán)利要求1至5所述的方法，其中與所述相應(yīng)的樣品位置處的所述至少一個(gè)先前分配的相位有關(guān)的所述信息包含在所述樣品位置處檢測(cè)到的所述第一類型的發(fā)射的光譜信息。

7.根據(jù)權(quán)利要求1至6所述的方法，其中所述第一檢測(cè)器為EDS檢測(cè)器。

8.根據(jù)權(quán)利要求1至7所述的方法，其包含以下步驟：

響應(yīng)于在所述多個(gè)樣品位置上掃描的所述射束，使用第二檢測(cè)器檢測(cè)來(lái)自所述樣品的第二類型的發(fā)射；

其中利用所述檢測(cè)到的所述第二類型的發(fā)射來(lái)為所述多個(gè)樣品位置中的所述至少另一個(gè)樣品位置建立所述估計(jì)相位。

9.根據(jù)權(quán)利要求1至7和/或權(quán)利要求8所述的方法，其中利用檢測(cè)到的所述第一類型的發(fā)射和/或檢測(cè)到的所述第二類型的發(fā)射來(lái)將所述樣品的掃描區(qū)域的至少一部分分成多個(gè)段。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中利用所述段來(lái)為所述多個(gè)樣品位置中的至少另一個(gè)樣品位置建立所述估計(jì)相位。

11.一種帶電粒子顯微鏡，其用于使用根據(jù)前述權(quán)利要求中一項(xiàng)或多項(xiàng)所述的方法檢查樣品，并且包含：

光學(xué)柱，所述光學(xué)柱包括帶電粒子源、最終探針形成透鏡和掃描儀，用于將從所述帶電粒子源發(fā)射的帶電粒子射束聚焦到標(biāo)本上；

標(biāo)本臺(tái)，所述標(biāo)本臺(tái)位于所述最終探針形成透鏡下游并被布置用于固持所述標(biāo)本；

第一檢測(cè)器，所述第一檢測(cè)器響應(yīng)于從所述帶電粒子源發(fā)射的帶電粒子的入射，檢測(cè)源自所述標(biāo)本的第一類型的發(fā)射；

控制單元和處理設(shè)備，所述控制單元和處理設(shè)備連接到所述第一檢測(cè)器；

其中所述帶電粒子顯微鏡被布置用于執(zhí)行根據(jù)前述權(quán)利要求中一項(xiàng)或多項(xiàng)，特別是根據(jù)權(quán)利要求1至7所述的方法。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的帶電粒子顯微鏡，其中所述帶電粒子顯微鏡包含第二檢測(cè)器，其響應(yīng)于在所述多個(gè)樣品位置上掃描的所述射束檢測(cè)來(lái)自所述樣品的第二類型的發(fā)射，并且其中所述帶電粒子顯微鏡被布置用于執(zhí)行根據(jù)前述權(quán)利要求1至10中一項(xiàng)或多項(xiàng)，特別是根據(jù)權(quán)利要求8至10中一項(xiàng)或多項(xiàng)所述的方法。