[發明專利]顯示基板及其制作方法、顯示裝置有效
| 申請號: | 202010465889.6 | 申請日: | 2020-05-28 |
| 公開(公告)號: | CN111710694B | 公開(公告)日: | 2022-10-25 |
| 發明(設計)人: | 王琳琳;崔穎 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243 | 代理人: | 許靜;張博 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 及其 制作方法 顯示裝置 | ||
本公開提供了一種顯示基板及其制作方法、顯示裝置,屬于顯示技術領域。顯示基板包括襯底基板,位于襯底基板上的薄膜晶體管陣列層,覆蓋薄膜晶體管陣列層的平坦層,以及位于平坦層上的第一電極和像素界定層,像素界定層限定出多個像素開口,像素開口包括相鄰的第一邊和第二邊,像素界定層包括與第一邊平行的第一像素界定層和與第二邊平行的第二像素界定層,第一像素界定層的表面高度低于第二像素界定層的表面高度,平坦層遠離襯底基板的一側表面設置有與第一邊平行的凹槽,至少部分第一像素界定層位于凹槽內。本公開能夠提高顯示基板噴墨打印成膜的厚度的均一性,提高顯示裝置的顯示效果,延長顯示基板的使用壽命。
技術領域
本公開涉及顯示技術領域,特別是指一種顯示基板及其制作方法、顯示裝置。
背景技術
OLED(Organic Light-Emitting Diode,有機發光二極管,簡稱OLED)顯示裝置由于具有薄、輕、寬視角、主動發光、發光顏色連續可調、成本低、響應速度快、能耗小、驅動電壓低、工作溫度范圍寬、生產工藝簡單、發光效率高及可柔性顯示等優點,已被列為極具發展前景的下一代顯示技術。
OLED顯示基板的有機發光層的成膜方式包括蒸鍍和噴墨打印兩種方式。由于噴墨打印技術具有較高的材料利用率,因此被認為是實現大尺寸、量產化的重要方式。但是噴墨打印時,會存在畫面不均勻的現象,這是因為:一、不能保證每個噴嘴的噴墨量完全一致。因此,顯示基板點亮后人眼即可分辨出由此體積誤差導致的像素間發光均勻性差異;二、像素區域的尺寸較小,液體流動性較差,很難形成膜厚均一的有機發光層薄膜。
發明內容
本公開要解決的技術問題是提供一種顯示基板及其制作方法、顯示裝置,能夠提高顯示基板噴墨打印成膜的厚度的均一性,從而提高顯示裝置的顯示效果,延長顯示基板的使用壽命。
為解決上述技術問題,本公開的實施例提供技術方案如下:
一方面,提供一種顯示基板,包括襯底基板,位于所述襯底基板上的薄膜晶體管陣列層,覆蓋所述薄膜晶體管陣列層的平坦層,以及位于所述平坦層上的第一電極和像素界定層,所述像素界定層限定出多個像素開口,所述像素開口包括相鄰的第一邊和第二邊,所述像素界定層包括位于所述顯示基板的顯示區域內、與所述第一邊平行的第一像素界定層和與所述第二邊平行的第二像素界定層,所述第一像素界定層的表面高度低于所述第二像素界定層的表面高度,所述平坦層遠離所述襯底基板的一側表面設置有與所述第一邊平行的凹槽,至少部分所述第一像素界定層位于所述凹槽內,所述像素界定層還包括包圍所述顯示區域的第三像素界定層,所述第三像素界定層的表面高度不低于所述第二像素界定層的表面高度。
一些實施例中,所述第一像素界定層在所述襯底基板上的正投影位于所述凹槽在所述襯底基板上的正投影內。
一些實施例中,所述第一電極包括位于所述凹槽內的第一子電極部分和位于所述凹槽外的第二子電極部分,所述第一像素界定層遠離所述襯底基板的表面與所述第二子電極部分遠離所述襯底基板的表面齊平。
一些實施例中,所述第一子電極部分通過貫穿所述平坦層的過孔與所述薄膜晶體管陣列層的輸出電極連接。
一些實施例中,所述凹槽的槽底與所述薄膜晶體管陣列層的輸出電極遠離所述襯底基板一側的表面位于同一水平面。
一些實施例中,所述顯示基板包括多個相互獨立的第一電極,相鄰第一電極之間的間隙在所述襯底基板上的正投影位于所述凹槽的槽底在所述襯底基板上的正投影內。
一些實施例中,所述第一電極的厚度為100-130nm。
一些實施例中,所述凹槽在垂直于所述第一邊且平行于所述襯底基板的方向上的寬度為14-16um。
一些實施例中,所述第二像素界定層在所述襯底基板上的正投影與所述第一電極在所述襯底基板上的正投影不重疊。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





