[發(fā)明專利]一種釹鐵硼磁體及其制備方法和應(yīng)用有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010464304.9 | 申請日： | 2020-05-27 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN111653404B | 公開（公告）日： | 2022-11-15 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 史丙強(qiáng);劉磊;馬丹;宿云婷 | 申請（專利權(quán)）人： | 煙臺(tái)正海磁性材料股份有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01F1/057 | 分類號(hào)： | H01F1/057;H01F41/02;C22C38/10;C22C38/16;C22C38/14;C22C38/06;C22C38/04;C22C38/12;C23C14/24;C23C14/35;C23C14/16 |
| 代理公司： | 北京知元同創(chuàng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11535 | 代理人： | 聶稻波;呂少楠 |
| 地址： | 264006 山*** | 國省代碼： | 山東;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 釹鐵硼 磁體 及其 制備 方法 應(yīng)用 | ||
1.一種釹鐵硼磁體，其特征在于，所述釹鐵硼磁體以化學(xué)式R1-R2-Fe-M-B表示，所述釹鐵硼磁體具有高矯頑力區(qū)域和高剩磁區(qū)域的復(fù)合結(jié)構(gòu)；
其中，R1為至少含有Nd的稀土元素，R2為至少含有Dy和/或Tb的重稀土元素，M為至少含有Co的過渡金屬元素；
所述釹鐵硼磁體具有R2含量高的高矯頑力的區(qū)域和具有R2含量低的高剩磁的區(qū)域；
所述R2在R1-Fe-M-B基結(jié)構(gòu)的基體磁體表面的2個(gè)對面上成膜，所述2個(gè)對面為非垂直于磁體充磁方向且非垂直于磁體成型時(shí)壓制方向的2個(gè)對面；
所述非垂直于磁體充磁方向與非垂直于磁體成型時(shí)壓制方向是不同的方向。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的釹鐵硼磁體，其特征在于，所述R2在釹鐵硼磁體中的含量≤1.0wt%。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的釹鐵硼磁體，其特征在于，所述R2在釹鐵硼磁體中的含量≤0.8wt%。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的釹鐵硼磁體，其特征在于，所述R2在釹鐵硼磁體中的含量≤0.5wt%。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一項(xiàng)所述的釹鐵硼磁體，其特征在于，所述高剩磁區(qū)域的表層及磁體內(nèi)部1mm處的R2濃度差△1≤0.1%。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一項(xiàng)所述的釹鐵硼磁體，其特征在于，所述高矯頑力區(qū)域的表層及與所述釹鐵硼磁體內(nèi)部1mm處的R2濃度差△2≥0.15%。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的釹鐵硼磁體，其特征在于，所述高矯頑力區(qū)域的表層及與所述釹鐵硼磁體內(nèi)部1mm處的R2濃度差△2≥0.15%。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的釹鐵硼磁體，其特征在于，所述△2/△1≥1.5。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的釹鐵硼磁體，其特征在于，所述△2/△1≥2。
10.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一項(xiàng)所述的釹鐵硼磁體，其特征在于，所述高矯頑力區(qū)域的寬度為1-5mm，且中心區(qū)域具有高剩磁區(qū)域；其中，所述高矯頑力區(qū)域定義為自表層至磁體內(nèi)部延伸，R2的濃度差值為1%時(shí)，即為高矯頑力區(qū)域的寬度。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的釹鐵硼磁體，其特征在于，所述高矯頑力區(qū)域的寬度為1.5-4mm。
12.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一項(xiàng)所述的釹鐵硼磁體，其特征在于，所述R1除含Nd元素外，還含有鑭（La）、鈰（Ce）、鐠（Pr）、钷（Pm）、釤（Sm）、銪（Eu）和鈧（Sc）中的至少一種。
13.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一項(xiàng)所述的釹鐵硼磁體，其特征在于，所述R1在釹鐵硼磁體中的含量為28-32wt%。
14.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一項(xiàng)所述的釹鐵硼磁體，其特征在于，所述R2除含有Dy和/或Tb元素外，還含有釓（Gd）、鈥（Ho）、鉺（Er）、銩（Tm）、鐿（Yb）、镥（Lu）和釔（Y）中的至少一種。
15.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一項(xiàng)所述的釹鐵硼磁體，其特征在于，所述M除含有Co外，還含有Cu、Ga、Zr、Ti、Al、Mn、Zn和W中的至少一種。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的釹鐵硼磁體，其特征在于，所述Co在釹鐵硼磁體中的含量為1-3wt%。
17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的釹鐵硼磁體，其特征在于，除Co之外的M中其余過渡金屬元素在釹鐵硼磁體中的含量≤2wt%。
18.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一項(xiàng)所述的釹鐵硼磁體，其特征在于，所述B在釹鐵硼磁體中的含量為0.5-1.3wt%。
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