[發明專利]薄膜晶體管和薄膜晶體管制備方法

在審

• 申請號: 202010463760.1
• 申請日: 2020-05-27
• 公開（公告）號: CN111599869A
• 公開（公告）日: 2020-08-28
• 發明（設計）人: 胡小波;譚敏力;彭釗;劉健;楊一峰
• 申請（專利權）人: TCL華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L21/336;H01L29/423;H01L27/32
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 楊艇要

1.一種薄膜晶體管，其特征在于，包括：

襯底、位于所述襯底上方的有源層、位于所述有源層上的柵絕緣層、以及位于所述柵絕緣層上的第一阻擋層、位于所述第一阻擋層上的柵極、位于所述柵極上的第二阻擋層；以及

位于所述第二阻擋層上的第一合金膜層；以及

位于所述第一合金膜層上的層間絕緣層，所述層間絕緣層上設置有源極和漏極，所述源極和漏極上設置有鈍化層；

其中，所述第一合金膜層的疏水性大于所述第二阻擋層的疏水性，用于防止制備過程中光阻層剝落。

2.如權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，其中，所述源極和所述漏極上表面設置有第四阻擋層，所述源極和所述漏極下表面設置有第三阻擋層，其中，第四阻擋層上設置有第二合金膜層。

3.如權利要求2所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第一合金膜層的材料為第二阻擋層的材料與一種疏水性好的材料的離子形成的合金材料，所述第二合金膜層的材料為第四阻擋層的材料與一種疏水性好的材料的離子形成的合金材料。

4.如權利要求3所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第一合金膜層或所述第二合金膜層的材料為鉬鉭和碳的合金，所述碳質量占合金質量的比例范圍為0.1％至10％。

5.如權利要求2所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第一合金膜層或所述第二合金膜層的厚度為10埃至200埃中的任一值。

6.一種薄膜晶體管制備方法，其特征在于，包括：

提供一襯底；

在所述襯底上依次形成遮光層、緩沖層、有源層；

在所述有源層上形成柵極絕緣層，并在柵極絕緣層上依次形成第一阻擋層、柵極、第二阻擋層的三層金屬結構；

使用疏水材料離子注入對所述第二阻擋層的表面進行處理，以形成疏水性強于所述第二阻擋層的第一合金膜層，第一合金膜層與光阻層的結合更緊密；

在所述第一合金膜層上依次形成層間絕緣層、源極和漏極以及鈍化層。

7.如權利要求6所述的薄膜晶體管制備方法，其特征在于，在使用疏水材料離子對所述第二阻擋層的表面進行處理的步驟中：

使用碳離子注入對所述第二阻擋層的表面進行處理，形成所述第一合金膜層的材料為鉬鉭和碳的合金。

8.如權利要求6所述的薄膜晶體管制備方法，其特征在于，在使用疏水材料離子對所述第二阻擋層的表面進行處理的步驟中：

使用銅離子注入對所述第二阻擋層的表面進行處理，形成所述第一合金膜層的材料為鉬鉭和銅的合金。

9.如權利要求6所述的薄膜晶體管制備方法，其特征在于，在所述第一合金膜層上依次形成層間絕緣層、源極和漏極以及鈍化層的步驟中：

在所述源極、所述漏極下表面形成第三阻擋層，在所述源極、所述漏極上表面形成第四阻擋層，所述第四阻擋層上表面形成有第二合金膜層。

10.如權利要求9所述的薄膜晶體管制備方法，其特征在于，在所述第四阻擋層上表面形成有第二合金膜層的步驟中：

使用碳離子注入對所述第四阻擋層的表面進行處理，形成所述第二合金膜層的材料為鉬鉭和碳的合金。