[發明專利]一種顯示面板及其制作方法、顯示裝置在審
| 申請號: | 202010463445.9 | 申請日: | 2020-05-27 |
| 公開(公告)號: | CN111613655A | 公開(公告)日: | 2020-09-01 |
| 發明(設計)人: | 陳偉偉 | 申請(專利權)人: | 合肥維信諾科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京遠智匯知識產權代理有限公司 11659 | 代理人: | 范坤坤 |
| 地址: | 230000 安徽省合*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 顯示 面板 及其 制作方法 顯示裝置 | ||
1.一種顯示面板,其特征在于,包括:
襯底基板;
設置在所述襯底基板上的像素限定層,所述像素限定層包括多個用于容置子像素A1-An的開口,所述子像素A1-An組合形成發光單元,n為大于等于3的整數;
設置在所述像素限定層和所述子像素A1-An上的封裝層;
設置在所述封裝層上的功能層,所述功能層包括對應所述像素限定層設置的遮光層和對應所述開口設置的彩色濾光層;
其中,用于容置子像素A1的開口大小與用于容置子像素Ai的開口大小不等,且子像素A1-An經所述遮光層遮擋后的出光角相等,i取2,3,…,n中的任意一個。
2.根據權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,若用于容置子像素A1的開口大小小于用于容置子像素Ai的開口大小,則所述子像素A1兩側的遮光層的厚度小于所述子像素Ai兩側的遮光層的厚度;
若用于容置子像素A1的開口大小大于用于容置子像素Ai的開口大小,則所述子像素A1兩側的遮光層的厚度大于所述子像素Ai兩側的遮光層的厚度。
3.根據權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,當所述遮光層的邊緣和與其對應的所述像素限定層的邊緣平齊時,
(H1+H0)/T1=(Hi+H0)/Ti;
其中,T1為所述子像素A1的開口邊界上最遠兩點之間的距離,Ti為所述子像素Ai的開口邊界上最遠兩點之間的距離,H1為所述子像素A1兩側的遮光層的厚度,Hi為所述子像素Ai兩側的遮光層的厚度,H0為所述封裝層的厚度。
4.根據權利要求2所述的顯示面板,其特征在于,所述子像素A1兩側的遮光層包括第一遮光層;所述子像素Ai兩側的遮光層包括依次疊層設置的所述第一遮光層和第二遮光層。
5.根據權利要求2所述的顯示面板,其特征在于,所述子像素A1兩側的遮光層包括依次疊層設置的第一遮光層和膠層;所述子像素Ai兩側的遮光層包括依次疊層設置的所述第一遮光層、所述膠層和第二遮光層。
6.一種顯示裝置,其特征在于,包括如權利要求1-5中任意一項所述的顯示面板。
7.一種顯示面板的制作方法,其特征在于,包括:
在襯底基板上形成薄膜晶體管層;
在所述薄膜晶體管層上形成包括多個開口的像素限定層,并在所述開口內形成子像素A1-An,所述子像素A1-An組合形成發光單元,n為大于等于3的整數;
在所述像素限定層和所述子像素A1-An上形成封裝層;
在所述封裝層上形成功能層,所述功能層包括對應所述像素限定層設置的遮光層和對應所述開口設置的彩色濾光層;
其中,用于容置子像素A1的開口大小與用于容置子像素Ai的開口大小不等,且子像素A1-An經所述遮光層遮擋后的出光角相等,i取2,3,…,n中的任意一個。
8.根據權利要求7所述的顯示面板的制作方法,其特征在于,若用于容置子像素A1的開口大小小于用于容置子像素Ai的開口大小,所述在所述封裝層上形成功能層,包括:
在所述封裝層上沉積一層遮光材料;
對所述遮光材料進行一次構圖工藝,并在所述封裝層上形成彩色濾光層;
對所述子像素A1兩側的遮光材料再進行一次構圖工藝,以形成所述遮光層。
9.根據權利要求7所述的顯示面板的制作方法,其特征在于,若用于容置子像素A1的開口大小小于用于容置子像素Ai的開口大小,所述在所述封裝層上形成功能層,包括:
在所述封裝層上沉積一層遮光材料;
對所述遮光材料進行一次構圖工藝,以形成第一遮光層;
在所述封裝層上形成彩色濾光層;
在所述子像素Ai兩側的第一遮光層上形成第二遮光層。
10.根據權利要求7所述的顯示面板的制作方法,其特征在于,若用于容置子像素A1的開口大小小于用于容置子像素Ai的開口大小,所述在所述封裝層上形成功能層,包括:
在所述封裝層上沉積一層遮光材料;
對所述遮光材料進行一次構圖工藝,以形成第一遮光層;
在所述第一遮光層上形成膠層,并在所述膠層上形成彩色濾光層;
在所述子像素Ai兩側的膠層上形成第二遮光層。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





