[發(fā)明專利]一種納米結(jié)構(gòu)低介電常數(shù)聚合物及其制備方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010463034.X
• 申請(qǐng)日: 2020-05-27
• 公開（公告）號(hào): CN111635553A
• 公開（公告）日: 2020-09-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李秦新;謝永桂;萬樺坪;宋婷
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 西安航谷微波光電科技有限公司
• 主分類號(hào): C08J9/26
• 分類號(hào): C08J9/26;C08L27/18;C08K7/26
• 代理公司: 西安通大專利代理有限責(zé)任公司 61200
• 代理人: 姚詠華

1.一種納米結(jié)構(gòu)低介電常數(shù)聚合物制備方法，其特征在于，包括下述步驟：

S1，將水溶性聚乙二醇微粉或油溶性蠟粉采用熔融噴霧法制成10～100μm顆粒作為造孔劑；

S2，按照質(zhì)量比將3-60份造孔劑或1-30份成孔劑SiO₂空心微球與100份聚四氟乙烯粉混合；

S3，將混合物過篩得到混合均勻的粉料；

S4，將粉料模具壓制成型；

S5，采用乙醇或溶劑汽油浸出油溶性蠟粉；或采用熱水浸出水溶性聚乙二醇微粉；

S6，將浸出物與余料分離，得到余料塊體；

S7，將余料塊體在常壓下、鏈?zhǔn)綗Y(jié)爐中空氣燒結(jié)1-4h，即得低介電常數(shù)納米結(jié)構(gòu)或納米纖維結(jié)構(gòu)的聚合物。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種納米結(jié)構(gòu)低介電常數(shù)聚合物制備方法，其特征在于，所述油溶性蠟粉為石蠟、微晶石蠟、硬脂酸或硬脂醇。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種納米結(jié)構(gòu)低介電常數(shù)聚合物制備方法，其特征在于，所述SiO₂空心微球?yàn)榍蛑睆?0～120μm壁厚小于5μm的薄壁球。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種納米結(jié)構(gòu)低介電常數(shù)聚合物制備方法，其特征在于，所述聚乙二醇分子量為2000～10000。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種納米結(jié)構(gòu)低介電常數(shù)聚合物制備方法，其特征在于，所述步驟S5中，熱水溫度為60-80℃。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種納米結(jié)構(gòu)低介電常數(shù)聚合物制備方法，其特征在于，所述步驟S7中，余料塊體在溫度為380-450℃燒結(jié)。

7.一種基于權(quán)利要求1-6任一項(xiàng)所述方法制備的納米結(jié)構(gòu)低介電常數(shù)聚合物，其特征在于，聚合物包括以下質(zhì)量比的原料：

造孔劑0-60份、成孔劑0-30份、聚四氟乙烯粉100份。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種納米結(jié)構(gòu)低介電常數(shù)聚合物，其特征在于，所述聚合物的介電常數(shù)達(dá)1.65；工作頻率在50Hz～80GHz，透波率97％，損耗0.87/m，適用溫度范圍為-200-250℃。