[發明專利]在多個切片操作期間借助于線鋸從工件切下多個晶圓的方法以及單晶硅半導體晶圓

在審

• 申請號: 202010462168.X
• 申請日: 2020-05-27
• 公開（公告）號: CN111993614A
• 公開（公告）日: 2020-11-27
• 發明（設計）人: G·皮奇;P·威斯納
• 申請（專利權）人: 硅電子股份公司
• 主分類號: B28D5/00
• 分類號: B28D5/00;B28D5/04
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 劉佳斐

1.一種在多個切片操作期間借助于線鋸從工件切下多個晶圓的方法，該線鋸包括在兩個線引導輥之間拉伸的鋸切線的移動線區段的線網，該線引導輥中的每個被安裝在固定軸承和可移動軸承之間，所述方法包括，

在該切片操作中的每個期間，在存在工作流體的情況下，在存在硬質物質的情況下，抵靠該線網沿著供給方向供給該工件中的一個，該硬質物質磨蝕地作用在該工件上；

在該切片操作期間，根據溫度輪廓對各個線引導輥的該固定軸承進行溫度控制，該溫度輪廓要求溫度作為切割深度的函數；

在該切片操作過程中，該溫度輪廓從具有恒定溫度過程的第一溫度輪廓到第二溫度輪廓的第一切換，該第二溫度輪廓與第一平均形狀輪廓和參考晶圓的形狀輪廓的差成比例，從根據該第一溫度輪廓已經切下的晶圓確定該第一平均形狀輪廓。

2.根據權利要求1所述的方法，包括，

將該溫度輪廓進一步切換到進一步溫度輪廓，該進一步溫度輪廓與先前切片的晶圓的進一步平均形狀輪廓和該參考晶圓的形狀輪廓的差成比例，該先前切片的晶圓源自至少1至5個切片操作，該至少1至5個切片操作緊接在當前切片操作之前。

3.根據權利要求1或2所述的方法，包括在該切片操作中的第一個期間使用該第一溫度輪廓，該切片操作中的第一個發生在該線鋸的、該鋸切線的或該工作流體的至少一個特征改變之后。

4.根據權利要求1至3中任一項所述的方法，包括在晶圓的基于晶圓選擇的基礎上確定該第一平均形狀輪廓和該進一步平均形狀輪廓。

5.根據權利要求1至3中任一項所述的方法，包括在晶圓的切割相關選擇的基礎上確定該進一步平均形狀輪廓。

6.根據權利要求1至3中任一項所述的方法，包括在晶圓的基于晶圓選擇的和基于切割選擇的基礎上確定該進一步平均形狀輪廓。

7.根據權利要求1至6中任一項所述的方法，包括在晶圓的形狀輪廓的加權平均的基礎上確定該第一平均形狀輪廓和該進一步平均形狀輪廓。

8.根據權利要求1至7中任一項所述的方法，其中該鋸切線是過共析珠光體鋼絲線。

9.根據權利要求1至8中任一項所述的方法，其中該鋸切線具有70μm至175μm的直徑。

10.根據權利要求8或9所述的方法，其中該鋸切線沿著縱向線軸線在垂直于該縱向線軸線的方向上設有多個突起和凹陷。

11.根據權利要求1至10中任一項所述的方法，包括在該切片操作期間，向該線區段供給冷卻潤滑劑作為工作流體，其中硬質物質由金剛石構成并且通過電鍍結合、通過合成樹脂結合或通過形狀配合結合而被固定在該鋸切線的表面上，并且該冷卻潤滑劑不含磨蝕地作用在該工件上的物質。

12.根據權利要求1至10中任一項所述的方法，包括在切片操作期間，向該線區段供給硬質物質在乙二醇或油中的漿料形式的工作流體，其中該硬質物質由碳化硅構成。

13.根據權利要求1至12中任一項所述的方法，包括以連續順序的成對的方向反轉來移動該鋸切線，其中每對方向反轉包括該鋸切線在第一縱向線方向上的通過第一長度的第一移動和該鋸切線在第二縱向線方向上的通過第二長度的第二、隨后移動，該第二縱向線方向與該第一縱向線方向相反，并且該第一長度大于該第二長度。

14.根據權利要求13所述的方法，其中該鋸切線在以該第一長度移動期間從第一線材沿該縱向線方向以第一張力被供給到該線網，并且該鋸切線在以該第二長度移動期間從第二線材沿該縱向線方向以第二張力被供給到該線網，其中該第二張力小于該第一張力。

15.根據權利要求1至14中任一項所述的方法，其中該工件由半導體材料構成。