[發(fā)明專利]一種隔離環(huán)組件、等離子體處理裝置及處理方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010462098.8 | 申請日： | 2020-05-27 |
| 公開（公告）號： | CN113745081A | 公開（公告）日： | 2021-12-03 |
| 發(fā)明（設計）人： | 楊金全;黃允才;蘇興才;魏強 | 申請（專利權(quán)）人： | 中微半導體設備（上海）股份有限公司 |
| 主分類號： | H01J37/32 | 分類號： | H01J37/32;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海元好知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31323 | 代理人： | 包姝晴;張靜潔 |
| 地址： | 201201 上海市浦東新*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 隔離 組件 等離子體 處理 裝置 方法 | ||
1.一種等離子體處理裝置，所述等離子體處理裝置包括真空反應腔和設于真空反應腔的上電極與下電極，所述上電極與所述下電極之間形成一處理區(qū)域，所述上電極與下電極之間產(chǎn)生射頻電場，用以將反應氣體解離為等離子體，其特征在于，所述真空反應腔內(nèi)設置一隔離環(huán)組件，所述隔離環(huán)組件包括：
第一隔離環(huán)，環(huán)繞設置于所述上電極外周，包括一內(nèi)壁表面，所述第一隔離環(huán)可在第一位置和第二位置之間移動，所述第一隔離環(huán)位于所述第一位置，所述內(nèi)壁表面與所述上電極的外周相對，所述第一隔離環(huán)位于所述第二位置，所述內(nèi)壁表面暴露于所述上電極和所述下電極形成的處理區(qū)域內(nèi)；
第二隔離環(huán)，環(huán)繞設置于所述第一隔離環(huán)外周。
2.如權(quán)利要求1所述的一種等離子體處理裝置，其特征在于：所述第一隔離環(huán)位于所述第二位置時，所述真空反應腔內(nèi)的等離子體為清潔等離子體，所述清潔等離子體用于對所述內(nèi)壁表面進行清潔。
3.如權(quán)利要求1所述的一種等離子體處理裝置，其特征在于：所述第一隔離環(huán)還能位于第一位置和第二位置之間的第五位置；所述第二隔離環(huán)可在第三位置和第四位置之間移動，所述第二隔離環(huán)位于所述第三位置，用于實現(xiàn)待處理基片在所述真空反應腔內(nèi)、外傳輸；所述第二隔離環(huán)位于第四位置且第一隔離環(huán)位于第五位置時，所述第二隔離環(huán)位與所述第一隔離環(huán)位匹配貼合形成一個整體隔離環(huán)，用于在真空反應腔內(nèi)進行等離子體處理；所述第二隔離環(huán)位于第四位置且第一隔離環(huán)位于第二位置時，所述清潔等離子體用于對所述內(nèi)壁表面進行清潔。
4.如權(quán)利要求3所述的一種等離子體處理裝置，其特征在于，還包括：
隔離臺階，所述隔離臺階環(huán)繞所述下電極設置，所述隔離臺階的上表面與所述第二隔離環(huán)的下表面相匹配，當所述第二隔離環(huán)位于第四位置時，所述第二隔離環(huán)和所述隔離臺階相匹配連接。
5.如權(quán)利要求1所述的一種等離子體處理裝置，其特征在于，所述第一隔離環(huán)外側(cè)設有朝上的第一臺階面，所述第二隔離環(huán)內(nèi)側(cè)設有朝下的第二臺階面，所述第一臺階面和所述第二臺階面相匹配。
6.如權(quán)利要求3所述的一種等離子體處理裝置，其特征在于，所述第一升降驅(qū)動件包括第一驅(qū)動源、第一連接件和第一驅(qū)動桿，所述第一驅(qū)動桿與所述第一隔離環(huán)連接，所述第一連接件同時連接第一驅(qū)動桿和第一驅(qū)動源，用于將第一驅(qū)動源的動力傳遞至第一驅(qū)動桿；
所述第二升降驅(qū)動件包括第二驅(qū)動源、第二連接件和第二驅(qū)動桿，所述第二驅(qū)動桿與所述第二隔離環(huán)連接，所述第二連接件同時連接第二驅(qū)動桿和第二驅(qū)動源，用于將第二驅(qū)動源的動力傳遞至第二驅(qū)動桿。
7.如權(quán)利要求6所述的一種等離子體處理裝置，其特征在于，所述第一驅(qū)動源為電機或氣缸；所述第二驅(qū)動源為電機或氣缸。
8.如權(quán)利要求6所述的一種等離子體處理裝置，其特征在于，所述第一驅(qū)動源設于所述第二驅(qū)動源的上方且與第二連接件連接。
9.如權(quán)利要求3所述的一種等離子體處理裝置，其特征在于，當所述第二隔離環(huán)下降至第四位置且所述第一隔離環(huán)位于第五位置時，所述第一隔離環(huán)的上表面高于所述上電極的下表面。
10.如權(quán)利要求3所述的一種等離子體處理裝置，其特征在于，當所述第二隔離環(huán)下降至第四位置且所述第一隔離環(huán)位于第五位置時，所述第一隔離環(huán)最下端距離所述下電極上表面的距離大于第一隔離環(huán)的最大厚度。
11.如權(quán)利要求1所述的一種等離子體處理裝置，其特征在于，所述第一隔離環(huán)升降至第二位置時，所述第一隔離環(huán)的最低點高于所述下電極的上表面，且所述第一隔離環(huán)的最高點低于所述上電極的下表面。
12.如權(quán)利要求3所述的一種等離子體處理裝置，其特征在于，真空反應腔具有用于添加待加工組件的傳片口，所述第二隔離環(huán)上升至第三位置時，所述第二隔離環(huán)與所述下電極之間具有與傳片口對應的供待加工組件通過的空間。
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