[發明專利]一種硅基GaN HEMT晶體管柵電流參數提取方法

在審

• 申請號: 202010461418.8
• 申請日: 2020-05-27
• 公開（公告）號: CN113745123A
• 公開（公告）日: 2021-12-03
• 發明（設計）人: 何進;何簫夢;魏益群;李春來;胡國慶
• 申請（專利權）人: 深港產學研基地（北京大學香港科技大學深圳研修院）
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66;G06F30/337
• 代理公司: 南昌豐擇知識產權代理事務所(普通合伙) 36137
• 代理人: 劉小平

1.一種硅基GaN HEMT晶體管柵電流參數提取方法，其特征在于，包括以下步驟：

(a)選擇測試的硅基GaN HEMT器件，將柵-源電壓Vg從0.0伏掃描到+2.0伏，測試出GaNHEMT場效應晶體管的柵電流特性曲線(Ig)-Vg，確定器件正常工作；

(b)選擇兩個不同截距b1和b2，不同斜率因子Kp1和Kp2的合適對數差分函數(Kp1*ln(x)+b1和Kp2*ln(x)+b2)，只要這兩個函數均與GaN HEMT場效應晶體管的柵電流特性曲線(Ig)-Vg在Vg＝0.0伏～+2.0伏范圍內有兩個相交點就可；

(c)在Vg＝0.0伏～+2.0伏范圍內的兩個相交點上，將硅基GaN HEMT器件測試得出的柵電流特性曲線(Ig)-Vg與兩個對數差分函數分別相減，兩式的差為零，可分別得到截距b1和b2值,以及兩個不同斜率因子Kp1和Kp2值；

(d)確定了兩個具體的對數差分函數后，將柵-源電壓Vg從0.0伏掃描到+2.0伏，將硅基GaN HEMT器件測試得出的柵電流特性曲線(Ig)-Vg與任意一個對數差分函數相減，得到Vg從0.0伏到+2.0伏范圍內具有極值的差分函數譜曲線Δlnlcdo(Ig)-Ig；

(e)在任意差分函數譜曲線上，獲取二個極值點的柵電流極值；將獲得的二個柵電流極值代入提取公式，可以提取得到一次柵電流的關鍵參數值；

(f)將兩個對數差分函數譜提取的柵電流的關鍵參數值求平均值，得到高精度的柵電流關鍵參數值。