[發明專利]一種超薄量子點膜的制備方法與加工設備

有效

• 申請號: 202010461273.1
• 申請日: 2020-05-27
• 公開（公告）號: CN111793448B
• 公開（公告）日: 2021-11-16
• 發明（設計）人: 齊永高;劉勇;張光磊;張飛鵬
• 申請（專利權）人: 南京貝迪新材料科技股份有限公司
• 主分類號: C09J7/30
• 分類號: C09J7/30;C09J133/04;C09J7/10;C09J11/04;C09K11/02;C09K11/88;G02F1/13357
• 代理公司: 南京九致知識產權代理事務所(普通合伙) 32307
• 代理人: 嚴巧巧

1.一種超薄量子點膜的制備方法，其特征在于，包括以下步驟，

1)根據需要制備的超薄量子點膜的性能要求選定量子點并溶解于量子點穩定劑中，得到量子點溶液；所述量子點溶液與基體樹脂、散射粒子、光引發劑和稀釋劑均勻混合，獲得量子點膠液；

2)量子點膠液采用卷對卷制程涂布在第一阻隔膜和第二阻隔膜之間，第一阻隔膜經量子點膠液層貼合于第二阻隔膜，卷對卷制程涂布后獲得第一量子點膜；所述第一量子點膜中第一阻隔膜和第二阻隔膜上相互遠離的側面分別貼附有保護膜；

3)第一量子點膜中位于第一阻隔膜和第二阻隔膜之間的量子點膠液層固化成型，獲得第二量子點膜；

4)第二量子點膜經牽引冷卻，并在牽引過程中將第一阻隔膜側面的保護膜沿第一方向剝離第一阻隔膜、第二阻隔膜側面的保護膜沿第二方向剝離第二阻隔膜，保護膜剝離后獲得第三量子點膜；其中，第一方向為遠離第二阻隔膜且與第二量子點膜牽引方向構成第一夾角的方向，第二方向為遠離第一阻隔膜且與第二量子點膜牽引方向構成第二夾角的方向，第一夾角和第二夾角均大于零。

2.根據權利要求1所述的超薄量子點膜的制備方法，其特征在于，所述步驟1)中量子點為CdSe、CdS、CdZnS、ZnSe、ZnS、GaAs、GaN、GaP、InP、InAs、InN、InSb、AlP中的一種或多種，量子點的結構為由半導體材料構成的核殼結構；

所述量子點穩定劑為正己烷、氯仿、丙烯酸異冰片酯中的一種或多種；

所述量子點膠液中基體樹脂為有機硅樹脂、環氧樹脂、聚氨酯、丙烯酸樹脂中的一種或多種；

所述散射粒子為無機粒子和/或有機粒子，所述無機粒子為納米二氧化硅、納米二氧化鈦、納米二氧化鈣、納米二氧化鋯中的一種或多種，所述有機粒子為有機硅類納米粒子、丙烯酸類納米粒子中的一種或多種；

所述光引發劑為苯基甲酮及其衍生物、苯基氧化磷及其衍生物中的一種或多種；

所述稀釋劑為乙酸、乙酸乙酯、乙酸丁酯、丙烯酸單體中的一種或多種。

3.根據權利要求1所述的超薄量子點膜的制備方法，其特征在于，所述步驟2)第一量子點膜中第一阻隔膜或第二阻隔膜的厚度為20μm-50μm。

4.根據權利要求3所述的超薄量子點膜的制備方法，其特征在于，所述第一阻隔膜和第二阻隔膜相互遠離的側面上的保護膜厚度為50μm-100μm。

5.根據權利要求1所述的超薄量子點膜的制備方法，其特征在于，所述步驟3)中量子點膠液層的厚度為20μm-100μm。

6.根據權利要求4所述的超薄量子點膜的制備方法，其特征在于，所述保護膜為離型保護膜。