[發明專利]電阻式隨機存取存儲器裝置及其形成方法

在審

• 申請號: 202010460935.3
• 申請日: 2020-05-27
• 公開（公告）號: CN112802870A
• 公開（公告）日: 2021-05-14
• 發明（設計）人: 陳達
• 申請（專利權）人: 華邦電子股份有限公司
• 主分類號: H01L27/24
• 分類號: H01L27/24;H01L29/06;H01L29/08;H01L29/78;H01L21/82
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 王天堯;湯在彥

1.一種電阻式隨機存取存儲器裝置，其特征在于，包括：

一柵極結構，其位于一襯底上；

一源極區和一漏極區，其配置于該襯底上的該柵極結構的兩側

上，其中該源極區包括一半導體塊體，且該漏極區包括鄰近該半導體塊體的多個半導體鰭片，及其中所述多個半導體鰭片彼此被一隔離層分隔；以及

多個電阻式隨機存取存儲器單元，其中每一個所述多個電阻式隨機存取存儲器單元都與所述多個半導體鰭片的其中之一電連接。

2.如權利要求1所述的電阻式隨機存取存儲器裝置，其特征在于，還包括：

一輕摻雜區，位于所述多個半導體鰭片的下方部分；以及

一重摻雜區，位于所述多個半導體鰭片的上方部分。

3.如權利要求2所述的電阻式隨機存取存儲器裝置，其特征在于，該輕摻雜區的電阻大于100k歐姆。

4.如權利要求2所述的電阻式隨機存取存儲器裝置，其特征在于，該輕摻雜區與該重摻雜區的深度比為1-3。

5.如權利要求2所述的電阻式隨機存取存儲器裝置，其特征在于，每一個所述多個電阻式隨機存取存儲器單元都以一接觸件與所述多個半導體鰭片的其中之一電連接，其中該接觸件的一下方部分埋設于所述多個半導體鰭片的該重摻雜區中，且該接觸件的該下方部分有一斜邊。

6.如權利要求1所述的電阻式隨機存取存儲器裝置，其特征在于，該襯底包括一阱區，且其中所述多個半導體鰭片延伸至該阱區中。

7.如權利要求1所述的電阻式隨機存取存儲器裝置，其特征在于，還包括:垂直于該柵極結構的多個位線，其中每一個所述多個位線都與所述多個電阻式隨機存取存儲器裝置的其中之一電連接；以及平行于該柵極結構的一源極線，其中該源極線與該半導體塊體電連接。

8.一種電阻式隨機存取存儲器裝置的形成方法，其特征在于，包括：

提供一襯底，其具有一源極區和鄰近該源極區的一漏極區；

凹蝕該襯底，以形成一半導體塊體于該源極區中且形成多個彼此平行的半導體鰭片于該漏極區中，其中所述多個半導體鰭片鄰近該半導體塊體；

形成一柵極結構于該襯底上，其中該源極區與該漏極區位于該柵極結構的兩側上；以及

形成多個電阻式隨機存取存儲器單元，其中每一個所述多個電阻式隨機存取存儲器單元都與所述多個半導體鰭片的其中之一電連接。

9.如權利要求8所述的電阻式隨機存取存儲器裝置的形成方法，其特征在于，還包括：

在所述多個半導體鰭片上執行一第一注入工藝，以形成一輕摻雜區于所述多個半導體鰭片的一下方部分；以及

在所述多個半導體鰭片上執行一第二注入工藝，以形成一重摻雜區于所述多個半導體鰭片的一上方部分。

10.如權利要求9所述的電阻式隨機存取存儲器裝置的形成方法，其特征在于，還包括：

形成多個接觸件于所述多個半導體鰭片上，其中每一個所述多個電阻式隨機存取存儲器單元都以所述多個接觸件與所述多個半導體鰭片的其中之一電連接，其中所述多個接觸件的一下方部分埋設于所述多個半導體鰭片的所述多個重摻雜區中，其中形成所述多個接觸件包括：

刻蝕所述多個半導體鰭片，以形成一接觸件開口于所述多個半導體鰭片的該重摻雜區中，其中該接觸件開口的一側壁與該接觸件開口的一底部表面之間的一角度為135度；以及

沉積一導電材料于該接觸件開口中，以形成所述多個接觸件。