[發(fā)明專利]一種量子點聚合物復(fù)合膜及其制備方法

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• 申請日: 2020-05-27
• 公開（公告）號: CN111621287A
• 公開（公告）日: 2020-09-04
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 張建兵;王康;藍新正;張道禮
• 申請（專利權(quán)）人: 華中科技大學;深圳華中科技大學研究院
• 主分類號: C09K11/02
• 分類號: C09K11/02;C09K11/88;C09K11/66;B82Y20/00;B82Y40/00;B82Y30/00
• 代理公司: 華中科技大學專利中心 42201
• 代理人: 許恒恒;李智

1.一種量子點聚合物復(fù)合膜，其特征在于，包括至少一層量子點復(fù)合層和至少一層中介層，所述量子點復(fù)合層和所述中介層交替形成；其中，所述量子點復(fù)合層是由量子點材料和高分子聚合物材料復(fù)合形成；所述中介層是由高分子聚合物材料構(gòu)成；所述量子點復(fù)合層和所述中介層中所采用的高分子聚合物材料互不相容。

2.如權(quán)利要求1所述量子點聚合物復(fù)合膜，其特征在于，所述量子點復(fù)合層和所述中介層中所采用的高分子聚合物材料為選自聚苯乙烯(PS)，聚乙烯吡咯烷酮(PVP)，聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)，聚碳酸酯(PC)，熱塑性聚氨酯彈性體橡膠(TPU)中互不相容的兩種高分子聚合物材料。

3.如權(quán)利要求1所述量子點聚合物復(fù)合膜，其特征在于，所述量子點復(fù)合層是先將量子點材料分散于高分子聚合物材料溶液中形成混合溶液，再將該混合溶液經(jīng)旋涂成膜從而形成量子點復(fù)合層的。

4.如權(quán)利要求1所述量子點聚合物復(fù)合膜，其特征在于，所述量子點材料選自硫化鉛量子點、硒化鉛量子點、硫化鋅、硒化鉛/硫化鉛核殼量子點、硫化鉛/硫化鎘核殼量子點以及鈣鈦礦量子點，其中，所述硒化鉛/硫化鉛核殼量子點是以硒化鉛為核、硫化鉛為殼的核殼量子點，所述硫化鉛/硫化鎘核殼量子點是以硫化鉛為核、硫化鎘為殼的核殼量子點。

5.如權(quán)利要求1所述量子點聚合物復(fù)合膜，其特征在于，所述中介層是將高分子聚合物材料溶解于溶劑中形成高分子聚合物材料溶液，再將該高分子聚合物材料溶液經(jīng)旋涂成膜形成中介層的；其中，所述溶劑不能溶解所述量子點復(fù)合層。

6.如權(quán)利要求1所述量子點聚合物復(fù)合膜，其特征在于，任意一層所述量子點復(fù)合層的厚度為100nm-1000nm，任意一層所述中介層的厚度為100nm-1000nm；

所述量子點聚合物復(fù)合膜是按量子點復(fù)合層、中介層、量子點復(fù)合層、中介層的順序重復(fù)交替沉積，直到該量子點聚合物復(fù)合膜整體的厚度滿足預(yù)先設(shè)定的厚度要求。

7.制備如權(quán)利要求1－6任意一項所述量子點聚合物復(fù)合膜的方法，其特征在于，包括以下步驟：

(1)將量子點材料分散于第一高分子聚合物材料溶液中形成混合溶液，所述第一高分子聚合物材料溶液的溶質(zhì)為第一高分子聚合物材料；

(2)選取不能溶解所述量子點材料和所述第一高分子聚合物材料的第二高分子聚合物材料作為溶質(zhì)配制第二高分子聚合物溶液，該第二高分子聚合物溶液即中介層溶液；

(3)將所述步驟(1)得到的所述混合溶液通過旋涂沉積在基板上形成量子點復(fù)合層；

(4)將所述步驟(2)得到的所述中介層溶液通過旋涂繼續(xù)沉積在基板上形成中介層；

(5)重復(fù)所述步驟(3)和所述步驟(4)若干次，在基板上形成量子點復(fù)合層、中介層、量子點復(fù)合層、中介層依次交替排列的量子點聚合物復(fù)合膜結(jié)構(gòu)，直到量子點聚合物復(fù)合膜整體的厚度滿足預(yù)先設(shè)定的厚度要求。

8.如權(quán)利要求7所述方法，其特征在于，所述步驟(1)中，所述第一高分子聚合物材料溶液的濃度為0.06g/ml-0.1g/ml，所述混合溶液中量子點材料的濃度為20mg/ml-40mg/ml；

所述步驟(2)中，所述中介層溶液中第二高分子聚合物的濃度為0.06g/ml-0.125g/ml。

9.如權(quán)利要求7-8任意一項所述方法，其特征在于，所述步驟(3)中，所述旋涂為靜態(tài)旋涂，轉(zhuǎn)速為1500rpm-2500rpm，旋涂時間為25s-30s；

所述步驟(4)中，所述旋涂為動態(tài)旋涂，轉(zhuǎn)速為1500rpm-2500rpm，旋涂時間為25s-30s。

10.如權(quán)利要求7-9任意一項所述方法，其特征在于，所述步驟(3)和所述步驟(4)是在空氣濕度小于40RH％且環(huán)境溫度為10℃-30℃的條件下進行的。