[發(fā)明專利]集成存儲(chǔ)器

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010460066.4
• 申請(qǐng)日: 2020-05-27
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN112447754A
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-03-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: K·M·考爾道;A·法魯辛;劉海濤;K·D·普拉爾
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 美光科技公司
• 主分類號(hào): H01L27/11568
• 分類號(hào): H01L27/11568;H01L27/11573;H01L27/11521;H01L27/11526
• 代理公司: 北京律盟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287
• 代理人: 王龍

本申請(qǐng)案涉及集成存儲(chǔ)器。一些實(shí)施例包含具有存儲(chǔ)器單元的組合件，所述存儲(chǔ)器單元具有作用區(qū)，所述作用區(qū)包含一對(duì)源極/漏極區(qū)之間的主體區(qū)。電荷存儲(chǔ)材料鄰近于所述主體區(qū)。導(dǎo)電柵極鄰近于所述電荷存儲(chǔ)材料。空穴再充電布置經(jīng)配置以在空穴從所述主體區(qū)到所述電荷存儲(chǔ)材料的注入期間補(bǔ)充所述主體區(qū)內(nèi)的空穴。所述空穴再充電布置包含異質(zhì)結(jié)構(gòu)作用區(qū)，所述異質(zhì)結(jié)構(gòu)作用區(qū)包括具有與所述主體區(qū)不同的組合物的至少一個(gè)源極/漏極區(qū)，及/或包含將所述主體區(qū)與空穴儲(chǔ)存區(qū)耦合的延伸部。字線與所述導(dǎo)電柵極耦合。第一比較數(shù)字線與所述源極/漏極區(qū)中的一者耦合，且第二比較數(shù)字線與所述源極/漏極區(qū)中的另一者耦合。

技術(shù)領(lǐng)域

集成存儲(chǔ)器。

背景技術(shù)

存儲(chǔ)器是一種類型的集成電路，且在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。存儲(chǔ)器可制作為個(gè)別存儲(chǔ)器單元的一或多個(gè)陣列。可使用數(shù)字線(其也可稱為位線、數(shù)據(jù)線、感測(cè)線或數(shù)據(jù)/感測(cè)線)及存取線(其也可稱為字線)寫(xiě)入到存儲(chǔ)器單元或從其讀取。數(shù)字線可沿著陣列的列導(dǎo)電地互連存儲(chǔ)器單元，且存取線可沿著陣列的行導(dǎo)電地互連存儲(chǔ)器單元。

存儲(chǔ)器單元可為易失性或非易失性的。非易失性存儲(chǔ)器單元可在延長(zhǎng)的周期內(nèi)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，包含關(guān)閉計(jì)算機(jī)時(shí)。易失性存儲(chǔ)器耗散且因此需要刷新/重寫(xiě)，有時(shí)每秒刷新/重寫(xiě)多次。無(wú)論如何，存儲(chǔ)器單元經(jīng)配置而以至少兩種不同的可選擇狀態(tài)保持或存儲(chǔ)存儲(chǔ)器。在二進(jìn)制系統(tǒng)中，狀態(tài)被視為“0”或“1”。在其它系統(tǒng)中，至少一些個(gè)別存儲(chǔ)器單元可經(jīng)配置以存儲(chǔ)多于兩個(gè)電平或狀態(tài)的信息。

期望開(kāi)發(fā)出經(jīng)改進(jìn)的存儲(chǔ)器單元。

發(fā)明內(nèi)容

在一個(gè)方面中，本申請(qǐng)案提供一種集成組合件，其包括：存儲(chǔ)器單元，所述存儲(chǔ)器單元包括作用區(qū)，所述作用區(qū)包含第一源極/漏極區(qū)、第二源極/漏極區(qū)以及所述第一源極/漏極區(qū)與所述第二源極/漏極區(qū)之間的主體區(qū)；所述第一源極/漏極區(qū)及所述第二源極/漏極區(qū)為n摻雜區(qū)；電荷存儲(chǔ)材料，其鄰近所述主體區(qū)；導(dǎo)電柵極，其鄰近所述電荷存儲(chǔ)材料；空穴再充電布置，其經(jīng)配置以在空穴從所述主體區(qū)到所述電荷存儲(chǔ)材料的注入期間補(bǔ)充所述主體區(qū)內(nèi)的空穴；所述空穴再充電布置包含異質(zhì)結(jié)構(gòu)作用區(qū)，所述異質(zhì)結(jié)構(gòu)作用區(qū)包括具有與所述主體區(qū)不同的組合物的所述第一源極/漏極區(qū)及所述第二源極/漏極區(qū)中的至少一者，及/或所述空穴再充電布置包含將所述主體區(qū)與空穴儲(chǔ)存區(qū)耦合的延伸部；字線，其與所述導(dǎo)電柵極耦合；第一比較數(shù)字線，其與所述第一源極/漏極區(qū)耦合；及第二比較數(shù)字線，其與所述第二源極/漏極區(qū)耦合。

在另一方面中，本申請(qǐng)案進(jìn)一步提供一種存儲(chǔ)器單元，其包括：作用區(qū)，所述作用區(qū)包含第一源極/漏極區(qū)、第二源極/漏極區(qū)以及所述第一源極/漏極區(qū)與所述第二源極/漏極區(qū)之間的主體區(qū)；所述主體區(qū)包括與所述第一源極/漏極區(qū)及所述第二源極/漏極區(qū)中的至少一者不同的半導(dǎo)體組合物，以使得能夠通過(guò)所述主體區(qū)與所述第一源極/漏極區(qū)及所述第二源極/漏極區(qū)中的所述至少一者之間的帶間隧穿補(bǔ)充所述主體區(qū)內(nèi)的載流子；電荷存儲(chǔ)材料，其鄰近所述主體區(qū)；及導(dǎo)電柵極材料，其鄰近所述電荷存儲(chǔ)材料。

在仍另一方面中，本申請(qǐng)案進(jìn)一步提供一種集成組合件，其包括：存儲(chǔ)器單元，所述存儲(chǔ)器單元包括垂直延伸的作用區(qū)，所述垂直延伸的作用區(qū)包含第一源極/漏極區(qū)、第二源極/漏極區(qū)以及所述第一源極/漏極區(qū)與所述第二源極/漏極區(qū)之間的主體區(qū)；所述主體區(qū)包括與所述第一源極/漏極區(qū)及所述第二源極/漏極區(qū)兩者不同的半導(dǎo)體組合物；所述作用區(qū)沿著橫截面具有一對(duì)相對(duì)側(cè)壁；第一絕緣區(qū)，其沿著所述相對(duì)側(cè)壁中的每一者；電荷存儲(chǔ)材料，其鄰近所述第一絕緣區(qū)；第二絕緣區(qū)，其鄰近所述電荷存儲(chǔ)材料；導(dǎo)電柵極材料，其鄰近所述第二絕緣區(qū)；第一比較數(shù)字線，其與所述第一源極/漏極區(qū)耦合；第二比較數(shù)字線，其與所述第二源極/漏極區(qū)耦合；所述作用區(qū)的由所述導(dǎo)電柵極材料重疊的一部分為所述作用區(qū)的柵控部分；所述主體區(qū)的所述半導(dǎo)體組合物沿著第一過(guò)渡區(qū)過(guò)渡到所述源極/漏極區(qū)中的一者的所述半導(dǎo)體組合物；所述第一過(guò)渡區(qū)在所述作用區(qū)的所述柵控部分內(nèi)；且所述主體區(qū)的所述半導(dǎo)體組合物沿著第二過(guò)渡區(qū)過(guò)渡到所述源極/漏極區(qū)中的另一者的所述半導(dǎo)體組合物；所述第二過(guò)渡區(qū)在所述作用區(qū)的所述柵控部分內(nèi)。

附圖說(shuō)明