[發明專利]一種顯示面板及顯示裝置

在審

• 申請號: 202010455905.3
• 申請日: 2020-05-26
• 公開（公告）號: CN111627965A
• 公開（公告）日: 2020-09-04
• 發明（設計）人: 楊薇薇
• 申請（專利權）人: 武漢華星光電半導體顯示技術有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 楊艇要

本發明公開了一種顯示面板及顯示裝置，顯示面板包括第一扇出區；綁定區，設于第一扇出區的一側；第二扇出區，設于綁定區遠離所述第一扇出區一側；若干第一金屬走線，設于第一扇出區和第二扇出區中；若干第二金屬走線，設于第一扇出區和第二扇出區中，第二金屬走線的電阻率小于第一金屬走線的電阻率；以及若干連接線，每一連接線一端連接至第一金屬走線，另一端連接至第二金屬走線。本發明的有益效果在于，本發明的顯示面板及顯示裝置中第二金屬層的電阻率小于第一金屬層的電阻率，綁定區的連接線兩端分別連接第一金屬層和第二金屬層，減少任意兩根連接線的電阻值差，提升電流穩定性，提升顯示面板的顯示質量。

技術領域

本申請涉及顯示領域，具體涉及一種顯示面板及顯示裝置。

背景技術

OLED(Organic Light-Emitting Diode)由于其重量輕，自發光，廣視角、驅動電壓低、發光效率高功耗低、響應速度快等優點，應用范圍越來越廣泛。為提高OLED面板的顯示均一性，采用第二金屬層做成金屬網格結構和VDD信號連接，目前顯示區外圍fanout1(第一扇出區)fanout2(第二扇出區)區域走線采用GE1(第一金屬層)/GE2(第二金屬層)交替走線，且GE1/GE2為同一種材料，膜厚也相當，電阻相同。但是GE2(第二金屬層)采用低電阻材料后，GE1/GE2走線電阻有較大差異，現有交替設計會導致顯示不良。

發明內容

為了解決上述技術問題，本發明提供了一種顯示面板及顯示裝置，用以解決現有技術中由于綁定區兩側的第一金屬層和第二金屬層電阻不同，影響顯示面板均一性的技術問題。

解決上述技術問題的技術方案是：本發明提供了一種顯示面板，包括第一扇出區；綁定區，設于所述第一扇出區的一側；第二扇出區，設于綁定區遠離所述第一扇出區一側；若干第一金屬走線，設于所述第一扇出區和所述第二扇出區中；若干第二金屬走線，設于所述第一扇出區和所述第二扇出區中，所述第二金屬走線的電阻率小于第一金屬走線的電阻率；以及若干連接線，設于所述綁定區中；其中，每一連接線一端連接至所述第一金屬走線，另一端連接至所述第二金屬走線。

進一步的，顯示面板還包括顯示區，設于所述第一扇出區遠離所述綁定區一側；基板，設于所述顯示區中并延伸至所述第二扇出區；阻隔層，設于所述基板的一側表面，且延伸至所述第二扇出區；緩沖層，設于所述阻隔層的一側表面，且延伸至所述第二扇出區；有源層，設于所述緩沖層遠離所述阻隔層的一側表面，且設于所述顯示區中；第一絕緣層，設于所述緩沖層遠離所述阻隔層的一側表面，且延伸至所述第二扇出區；第一金屬層，設于所述第一絕緣層遠離所述緩沖層的一側表面，且設于所述顯示區中；第二絕緣層，設于所述第一絕緣層遠離所述緩沖層的一側表面，且延伸至所述第二扇出區；第二金屬層，設于所述第二絕緣層遠離所述第一絕緣層的一側表面，且設于所述顯示區中；介電層，設于所述第二絕緣層遠離所述第一絕緣層的一側表面，且延伸至所述第二扇出區；填充層，設于所述綁定區中，且貫穿所述介電層、所述第二絕緣層、所述第一絕緣層、所述緩沖層、所述阻隔層和部分所述基板；源漏電極，設于所述顯示區中，其一端設于所述介電層遠離所述第二絕緣層一側，另一端貫穿所述介電層、所述第二絕緣層和所述第一絕緣層，且連接至所述有源層。

進一步的，所述第一金屬走線設于所述第一絕緣層遠離所述緩沖層的一側表面；所述第二金屬走線設于所述第二絕緣層遠離所述第一絕緣層的一側表面；所述連接線設于所述填充層以及所述介電層的表面。

進一步的，每一連接線均包括兩個引腳，其中一引腳貫穿所述介電層連接至所述第二金屬走線，另一引腳貫穿所述介電層和所述第二絕緣層連接至所述第一金屬走線，其中，每一連接線的兩個引腳設于所述填充層的兩側。

進一步的，顯示面板還包括平坦層，設于所述介電層遠離所述第二絕緣層的一側表面，且延伸至所述第二扇出區；陽極層，設于所述顯示區中，設于所述平坦層遠離所述介電層的一側表面,且貫穿所述平坦層連接至所述源漏電極；像素定義層，設于所述平坦層遠離所述介電層的一側表面，且延伸至所述第二扇出區；像素開孔，設于所述像素定義層上，且對應所述陽極層。